1ED3122MU12H
概要
10 A, 5.7 kV(rms)シングルチャネル絶縁型ゲートドライバ、シンク/ソース個別出力、UL 1577認証、 8 V UVLO
EiceDRIVER™ Compact シングルチャネルは、IGBTs、MOSFETs、SiC MOSFETs向けの絶縁型ゲートドライバで、10 A(peak)のシンク/ソース電流、沿面距離(>8mm)のDSO-8ワイドボディパッケージです。
1ED3122MU12H は、EiceDRIVER™ Compact 1ED31xxファミリー(X3コンパクトファミリー)の製品です。1ED3122は、個別のシンク/ソースピン、電源電圧が十分ではない場合にIGBTをオフ状態にするアクティブシャットダウン機能、短絡時にゲート電圧を制限する短絡クランプを備えています。このドライバは、ユニポーラでもバイポーラでも幅広い電源電圧で動作可能です。
特長
- EiceDRIVER™ Compactシングルチャネル絶縁型ゲートドライバ1ED31xxファミリー(X3コンパクトファミリー)
- 2300VまでのIGBT、SiC、Si MOSFET用
- 2300 Vのオフセット電圧が必要とされる用途で使用可能
- ガルバニック絶縁されたコアレストランスゲートドライバ
- 10 A (peak)のシンクおよびソースピーク出力電流
- 出力側最大電源電圧40V
- 伝搬遅延90ns(入力フィルタ90ns内蔵)
- 高いコモンモード過渡耐性 CMTI>200kV/μs
- 個別のソース/シンクピン
- 短絡クランプおよびアクティブシャットダウン
- 沿面距離(>8 mm)のDSO-8 300milワイド-ボディパッケージ
- ヒステリシス付き8 V/10 V低電圧ロックアウト(UVLO)保護
利点
- 内蔵フィルタにより外付けフィルタ不要
- ターンオン伝搬遅延マッチング(最大7ns)、経年劣化、電流、温度による変動がなく、誤差が小さいのでアプリケーションの堅牢性が向上
- 高い周囲温度および高速スイッチングアプリケーションでの動作に適合
- UL 1577(計画中)VISO = 6.8 kV(rms)(1秒)、 5.7 kV(rms)(1分)
- 伝搬遅延が短いのでデットタイムを最小化し、システムの効率向上および高調波ひずみを低減
- 精密なしきい値とタイミング、およびUL 1577認証により優れたアプリケーションの安全性を実現
- 高い絶縁性能はDC 1500V のソーラーインバーターアプリケーションで、使用することができます
Find our Variations for EiceDRIVER™ compact 1ED31xx family (X3 compact family)
Part No | Typ. current | Feature | UVLO | Isolation Certification |
1ED3120MU12H | 5.5 A | Separate output | 8/10 V | UL 1577 |
1ED3121MU12H | 5.5 A | Separate output | 10.5/12.5 V | UL 1577 |
1ED3122MU12H | 10 A | Active Miller clamp | 8/10 V | UL 1577 |
1ED3123MU12H | 14 A | Separate output | 8/10 V | UL 1577 |
1ED3124MU12H | 14 A | Separate output | 10.5/12.5 V | UL 1577 |
1ED3131MU12H | 5.5 A | Separate output, 180 ns input filter | 10.5/12.5 V | UL 1577 |
図
ビデオ
トレーニング
![](/export/sites/default/media/eLearning/Industrial/gate_drivers/X3-Compact-familynext-generation-of-isolated-drivers/X3_Compact_family.jpg_1698603547.jpg)
- The EiceDRIVER™ X3 Compact family (1ED31xx), with up to 14 A output current, 2300 V functional isolation, 200 kV/µs CMTI
- Show system benefit of Miller clamp, separate output, active shutdown, short circuit clamping, 7-ns prop. delay matching
- Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, SMPS
- EiceDRIVER™ 1ED Compact including 1ED-X3 compact family (1ED31xx), with up to 14 A output current, 200 kV/µs CMTI
- Show system benefit of Miller clamp, separate output, active shutdown, short circuit clamping, 7-ns prop. delay matching
- Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET. VDE 0884-11 & UL 1577 (planned). For solar, EV charging, industrial drive, UPS, SMPS.
シリコンカーバイド(SiC)MOSFETは、パワーエレクトロニクスにあらゆる可能性を提供します。しかし、適切なゲートドライバを備えたSiC MOSFETを使用し、システムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いでしょうか。本トレーニングでは、次のことが学べます:お客様のSiC MOSFET用に基準ゲート抵抗値を算出する方法。ピーク電流と消費電力の要件をもとに最適なゲートドライバICを選択する方法。最悪の条件下を想定し、実験室の環境でゲート抵抗値を微調整する方法。
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