1ED020I12-FT
1200 V single high-side isolated gate driver IC with active Miller clamp, DESAT, short circuit clamping, and two level turn off
1ED020I12-FT is a galvanic isolated single channel gate driver in DSO-16 wide body package that provides an output current capability of typically 2 A. All logic pins are 5V CMOS compatible and could be directly connected to a microcontroller. The data transfer across galvanic isolation is realized by the integrated Coreless Transformer Technology. The 1ED-FT provides several protection features like IGBT desaturation protection, active Miller clamping, active shut down and two level turn off.
特長
- Single channel isolated gate driver IC (1ED-FT)
- For 600 V/1200 V IGBTs, MOSFETs, SiC MOSFETs, discrete and modules
- 2 A rail-to-rail typical output current
- Precise DESAT protection, VCEsat detection
- Active Miller Clamp, two level turn off (TLTOff)
- Active shutdown and Short circuit clamping
- 28 V absolute Max. output supply voltage
- 200/230 ns Max. propagation delay
- 12/11 V output UVLO
- ≥ 50 kV/µs CMTI
利点
- Tight propagation-delay matching: tolerance improves application robustness without variations due to aging, current, and temperature
- Precise, integrated filters reduce propagation-delay variation over a wide range of operating conditions; reduce the need of external filters
- Tight propagation delay allows minimum deadtime improving system efficiency and decreasing harmonic distortion
- Wide body package with 8 mm creepage distance
- Immunity against negative and positive transients, increases reliability of the end product
- Low power losses for switching frequencies into MHz range
推奨アプリケーション例

Please also find our specially designed Evaluation Boards (EVAL-1ED020I12-BT) for 1ED020I12-BT Gate Driver ICs (EiceDRIVER™ Enhanced)

- EiceDRIVER™絶縁ゲートドライバ ― ファミリーは、最先端のコアレス トランスフォーマー (CT) 絶縁技術を採用
- CTベースの絶縁型ゲートドライバーは、大電流、低消費電力、優れたCMTI、クラス最高の伝搬遅延マッチングを提供します。
- CoolSiC™ SiC MOSFET および IGBT7 に最適。VDE 0884-11 & UL 1577認証。太陽光発電、EV充電、産業用インバータ制御、UPSなどに適しています。
SiC(シリコンカーバイド)MOSFETは、パワーエレクトロニクス分野に多くの可能性をもたらします。しかし、適切なゲートドライバを備えたSiC MOSFETを使用してシステムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いのでしょうか。このトレーニングでは、お客様のSiC MOSFETの基準ゲート抵抗値を計算する方法、ピーク電流および電力損失の要件にもとづき最適なゲートドライバICを特定する方法、最悪の条件を想定し、実験室環境でゲート抵抗値を微調整する方法が学べます。

- EiceDRIVER™ Enhanced X3アナログ ファミリー (1ED34xx) 、DESAT (フィルタ時間調整可能)、ミラークランプ、ソフトオフ (電流レベル調整可能) 搭載
- 最大出力電流9 A、200 kV/µs CMTI、伝搬遅延マッチング最大30 ns、出力供給電圧最大40 V
- CoolSiC™ SiC MOSFET および IGBT7 に最適。VDE 0884-11 & UL 1577認証。太陽光発電、EV充電、産業用インバータ制御、UPSなどに適しています。

- EiceDRIVER™ X3デジタル ファミリー (1ED38xx)、DESAT、ソフトオフ、UVLO、ミラークランプ、2レベル ターンオフ (TLTO)の I2C設定機能を備えています。
- 最大出力電流9 A、200 kV/µs CMTI、30 ns Max. 伝搬遅延マッチング、40 V Max 出力電圧
- CoolSiC™ SiC MOSFET および IGBT7 に最適。VDE 0884-11 & UL 1577認証。太陽光発電、EV充電、産業用インバータ制御、UPSなどに適しています。