1ED020I12-F2

概要

アクティブ ミラークランプ、DESAT、短絡クランピングを備えた1200 Vシングルハイサイド ゲート ドライバーIC

EiceDRIVER™ 1200Vハイサイド ゲート ドライバーは、IGBT用のDSO-16ワイド ボディ パッケージで、標準的な2Aのソース電流と2Aのシンク電流を供給します。

すべてのロジックピンが5VのCMOSとピン互換で、マイコンに直接接続できます。コアレストランスフォーマー技術を用いて、ガルバニック絶縁をまたいでデータ伝送を行うことができます。

特長

  • シングルチャネル絶縁型ゲートドライバIC (1ED-SRC)
  • 600V/1200V IGBT、MOSFET、SiC MOSFET、ディスクリートおよびモジュール用
  • 2 Aのレール ツー レール出力電流 (typ.)
  • 精密なDESAT保護、VCEsat検出
  • アクティブシャットダウンと短絡クランプ
  • 28 V 絶対最大電源電圧(出力段)
  • 170/165 ns 伝搬遅延 (typ.)
  • 出力UVLO 12/11 V 
  • CMTI ≥ 100 kV/µs 

利点

  • 出力間のタイトな伝搬遅延マッチング：耐性により、経年変化、電流、温度による変動がなく、アプリケーションの堅牢性が向上
  • 高精度なフィルターを内蔵することで、幅広い動作条件で伝搬遅延のばらつきを抑え、外付けフィルターの必要性を低減
  • 出力間のタイトな伝搬遅延マッチングにより、デッドタイムを最小限に抑え、システム効率の向上と高調波歪みの低減を実現
  • 負および正のトランジェントに対するイミュニティ、最終製品の信頼性向上
  • スイッチング周波数がMHz領域でも低電力損失を実現
図
ビデオ
Share
Share
トレーニング
IGBTディスクリートおよびモジュール向けゲートドライバの選択法

このトレーニングでは、IGBTアプリケーション向けゲート抵抗値の算出法、ピーク電流と電力損失要件に適したゲートドライバICの識別法、最悪条件の試験環境下でのゲート抵抗値の微調整法を学びます。

  • EiceDRIVER™ isolated gate driver family use the state-of-the-art coreless transformer (CT) isolation technology
  • The CT based isolated gate driver offers higher current, lower power consumption, better CMTI and best in class propagation delay matching
  • Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, etc.

Watch now

SiC（シリコンカーバイド）MOSFETは、パワーエレクトロニクス分野に多くの可能性をもたらします。しかし、適切なゲートドライバを備えたSiC MOSFETを使用してシステムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いのでしょうか。このトレーニングでは、お客様のSiC MOSFETの基準ゲート抵抗値を計算する方法、ピーク電流および電力損失の要件にもとづき最適なゲートドライバICを特定する方法、最悪の条件を想定し、実験室環境でゲート抵抗値を微調整する方法が学べます。

1ED34xx: 1-ch isolated driver with adj. DESAT
  • The EiceDRIVER™ Enhanced X3 Analog family (1ED34xx), with DESAT (adjustable filter time), Miller Clamp, soft-off (adjustable current)
  • Up to 9 A output current, 200 kV/µs CMTI, 30 ns Max. propagation delay matching, 40 V Max output supply voltage.
  • Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, etc

視聴はこちら             

  • The new EiceDRIVER™ X3 Digital family (1ED38xx), with I2C-configurability for DESAT, Soft-Off, UVLO, Miller clamp, two level turn off (TLTO).
  • Up to 9 A output current, 200 kV/µs CMTI, 30 ns Max. propagation delay matching, 40 V Max output supply voltage.
  • Perfect for CoolSiC™ SiC MOSFET and IGBT7. VDE 0884-11 & UL 1577. For solar, EV charging, industrial drive, UPS, etc.

Watch now

サポート