1ED020I12-F2

概要

1200 V single high-side gate driver IC with galvanic isolation, active Miller clamp, DESAT and short circuit clamping

EiceDRIVER™ 1200 V high-side Gate Driver IC for IGBTs with typical 2.0 A Source and 2.0 A sink current in PG-DSO-16 package.

特長

  • 1200 V Coreless Transformer isolated Driver Ics
  • 2 A rail-to-rail outputs
  • Protection function
  • VCEsat-detection
  • Active Miller Clamp

利点

  • Space saving package
  • Improved energy efficiency

推奨アプリケーション例

 

図
ソフトウエア&ツール
ビデオ
7:03

インフィニオンのゲートドライバのご紹介

インフィニオンのゲートドライバについてご関心をお持ちですか？インフィニオンのゲートドライバ製品のラインナップについて、ぜひビデオをご覧になってください。

1:41

高度保護機能を搭載したガルバニック絶縁ゲートドライバ

ガルバニック絶縁ゲートドライバEiceDRIVER™は、独自のコアレストランスフォーマ(CT)技術で、ガルバニック絶縁をまたぎ信号を伝送します。特にSiC MOSFETおよびGaN HEMT向けに、短絡保護、同相過渡電圧耐性(CMTI) 100kV/μs、アクティブミラークランプ、ソフトターンオフなどの機能を提供しています。

トレーニング
29:16

SiC MOSFETモジュールおよびSiC MOSFETモジュール用のゲートドライバの選び方

シリコンカーバイド(SiC)MOSFETは、パワーエレクトロニクスにあらゆる可能性を提供します。しかし、適切なゲートドライバを備えたSiC MOSFETを使用し、システムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いでしょうか。本トレーニングでは、次のことが学べます：お客様のSiC MOSFET用に基準ゲート抵抗値を算出する方法。ピーク電流と消費電力の要件をもとに最適なゲートドライバICを選択する方法。最悪の条件下を想定し、実験室の環境でゲート抵抗値を微調整する方法。

30:25

How to choose gate driver for IGBT discretes and modules

With this training, you will learn how to calculate a gate resistance value for an IGBT application, how to identify suitable gate driver ICs based on peak current and power dissipation requirements, and how to fine-tune the gate resistance value in laboratory environment based on worst case conditions.

サポート

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