GS66516B-TR きわめて高い効率と信頼性を実現したCoolGaN™トランジスタ 650 V G3
概要
GS66516B-TRは、エンハンスメント モードの GaN-on-Silicon パワー トランジスタです。GaNの特性により、大電流、高耐圧、高スイッチング周波数を実現します。 GS66516B-TRは、GaNPX®パッケージの下面放熱型トランジスタで、ジャンクション-ケース間熱抵抗が非常に低く、ACDC/DCDCコンバーター、再生可能エネルギー システム、EV車載/車外充電器、産業用電源など、大電力アプリケーションに最適です。
特長
- eモードHEMT: ノーマリーオフ
- 超高速スイッチング
- 逆回復電荷なし
- 逆導通対応
- 低ゲート電荷、低出力電荷
- きわめて高い整流耐量
- JEDEC規格準拠 (JESD47, JESD22)
- 下面放熱
- 逆回復損失なし
- 高速で制御可能な立ち上がり/立ち下がり時間
- RoHS 3 (6+4) 準拠
利点
- システム効率の向上
- 電力密度の向上
- システムの軽量化
- 動作周波数の高周波化
- システムコストの削減
サポート