GS66502B-MR 究極の効率と信頼性を実現する650 V CoolGaN™ eモード パワー トランジスタのミニリールオプション

概要

GS66502B-MR は、エンハンスメント モードの GaN-on-Silicon パワートランジスタです。GaNの特性により、大電流、高耐圧、高スイッチング周波数を実現します。GS66502B-MRは、GaNPX®パッケージの下面放熱型トランジスタで、ジャンクション-ケース間熱抵抗が非常に低く、ACDC/DCDCコンバーター、モータ制御、産業用電源など、大電力アプリケーションに最適です。

特長

  • eモードHEMT: ノーマリーオフ
  • 超高速スイッチング
  • 逆回復電荷なし
  • 逆導通対応
  • 低ゲート電荷、低出力電荷
  • きわめて高い整流耐量
  • JEDEC規格準拠 (JESD47, JESD22)
  • 下面放熱
  • 逆回復損失なし
  • 高速で制御可能な立ち上がり/立ち下がり時間
  • RoHS 3 (6+4) 準拠

利点

  • システム効率の向上
  • 電力密度の向上
  • システムの軽量化
  • 動作周波数の高周波化
  • システムコストの削減
サポート