GS-065-150-1-D2 究極の効率と信頼性を実現する650 V CoolGaN™ eモード パワー トランジスタ
概要
GS-065-150-1-D2 は、エンハンスメント モードの GaN-on-Silicon パワートランジスタ用のベアダイです。GaNの特性により、大電流と高スイッチング周波数を実現します。 GS-065-150-1-D2 は、オンボードチャージャー/オフボードチャージャー、トラクションドライブ、産業用電源、再生可能エネルギー システムなどの大電力アプリケーション向けのパワー モジュール用に設計された高性能 GaN ダイです。
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特長
- eモードHEMT: ノーマリーオフ
- 超高速スイッチング
- 逆回復電荷なし
- 逆導通対応
- 低ゲート電荷、低出力電荷
- 逆回復損失なし
- 高速で制御可能な立ち上がり/立ち下がり時間
- RoHS 3 (6+4) 準拠
利点
- システム効率の向上
- 電力密度の向上
- 動作周波数の高周波化
- システムコストの削減
サポート