GS-065-018-2-L-MR 究極の効率と信頼性を実現する650 V CoolGaN™ eモード パワー トランジスタのミニ リール オプション

概要

GS-065-018-2-L-MRは、エンハンスメント モードのGaN-on-Silicon パワートランジスタです。GaNの特性により、大電流、高耐圧、高スイッチング周波数を実現します。 GS-065-018-2-L-MRは、PDFNパッケージ (8×8 mm) の下面放熱型トランジスタで、最新のUSB-Cアダプタや充電器、サーバーやデータセンタのアプリケーションに求められる理想的な電力消費を可能にします。

特長

  • eモードHEMT: ノーマリーオフ
  • 超高速スイッチング
  • 逆回復電荷なし
  • 逆導通対応
  • 低ゲート電荷、低出力電荷
  • きわめて高い整流耐量
  • JEDEC規格準拠 (JESD47, JESD22)
  • 下面放熱
  • 逆回復損失なし
  • ソース センス パッドによる最適なゲート駆動
  • 高速で制御可能な立ち上がり/立ち下がり時間
  • RoHS 3 (6+4) 準拠

利点

  • システム効率の向上
  • 電力密度の向上
  • システムの軽量化
  • 動作周波数の高周波化
  • システムコストの削減
  • EMIの低減
サポート