GS-065-004-1-L-MR 究極の効率と信頼性を実現する650 V CoolGaN™ eモード パワー トランジスタのミニ リール オプション
概要
GS-065-004-1-L-MR は、エンハンスメント モード GaN-on-Silicon パワー トランジスタです。GaNの特性により、大電流、高耐圧、高スイッチング周波数を実現します。 GS-065-004-1-L-MRは、PDFNパッケージ (5×6mm) の下面放熱型トランジスタで、最新のUSB-Cアダプタや充電器、その他の低消費電力アプリケーションに求められる理想的な電力消費を可能にします。
特長
- eモードHEMT: ノーマリーオフ
- 超高速スイッチング
- 逆回復電荷なし
- 逆導通対応
- 低ゲート電荷、低出力電荷
- きわめて高い整流耐量
- JEDEC規格準拠 (JESD47, JESD22)
- 下面放熱
- 逆回復損失なし
- ソース センス パッドによる最適なゲート駆動
- 高速で制御可能な立ち上がり/立ち下がり時間
- RoHS 3 (6+4) 準拠
利点
- システム効率の向上
- 電力密度の向上
- システムの軽量化
- 動作周波数の高周波化
- システムコストの削減
- EMIの低減
サポート
