IDFW80C65D1
概要
650V シリコンパワーダイオード、TO-247改良型絶縁パッケージ
650V/80A 高速スイッチング エミッタ制御シリコンパワーダイオードをTO-247強化絶縁パッケージに搭載し、最高のコスト効率を実現しました。
特長
- 650V エミッタ制御技術
- 主要パラメータの温度安定性
- 低い順方向電圧 (VF)
- 低い逆回復電荷（Qrr）
- 低い逆回復電流 (Irrm)
- 最大接合部温度 175°C
- 2500 VRMS 電気絶縁、50/60 Hz、t = 1 min
- 絶縁した実装面は100%試験済み
- 鉛フリーの端子メッキ
- RoHS対応
図
サポート
