TLE9879QTW40

主な特長：

• チャージポンプ付き、NチャネルMOSFET用、6個の電流プログラマブルなドライバ
• LIN 2.2およびSAEJ2602対応LINトランシーバ内蔵
• 2個のLIN対応全二重シリアルインターフェイス（UART）
• 2個の同期シリアルチャネル（SSC）
• オンチップOSCおよびPLL（クロック発生用）
• 1個の高電圧監視入力、ウェークアップ機能付き
• シャントによるモータ電流センシングのための高速オペアンプ
• 測定ユニット：
  • 10本の多重化入力を持つ8ビットADCモジュール
  • 8本の多重化入力と5本の外部アナログ入力を持つ10ビットADCモジュール
  • オンチップの温度およびバッテリ電圧測定ユニット
• より高くなった温度シャットダウンにより最大Tjmax = 175℃の動作をサポート
• 独立した設定が可能なプログラマブル ウィンドウ ウォッチドッグ
• 5V/1.5Vの内部電源
• 外部電源（VDDEXT）: 5V+/-2% @ 20mA
• 低消費電力モード：
  • MCU低速モード
  • スリープモード
  • 停止モード
  • サイクルウェークアップスリープモード

マイクロコントローラの特長：

• 最大クロック周波数40MHzの32ビットArm® Cortex®-M3コア
• 128Kバイトのフラッシュメモリにコードとデータを格納
• コード領域に32KバイトのブートROMメモリ（ブートコードおよびIPストレージ）
• 6KバイトのRAM
• ハーバードアーキテクチャ
• Thumb®-2命令セットおよびハードウェアによる除算乗算ユニット
• 4個の16ビットタイマ
• 2つの16ビットタイマによるPWM信号生成用の読取／比較ユニット（CCU6）

一般的特性：

• 動作電源電圧VS = 5.5～28V、最大定格 40V
• 拡張動作電圧範囲VS = 3.0～28V、MCUおよびフラッシュ完全動作可能
• ESD性能：
  • 動作電源電圧VS = 5.5～28V、最大定格 40V
  • 拡張動作電圧範囲VS = 3.0～28V、MCUおよびフラッシュ完全動作可能
  • ESD性能：
• 過電圧デバイスクランプ（ロードダンプ堅牢性）　最大40V
• 広い動作温度範囲：Tj：-40℃～175℃