CY7C1041G30-10ZSXI High-Performance 4 Mbit FAST SRAM with Parallel Interface and Industrial Qualification
概要
CY7C1041G30-10ZSXIは、産業用途向けに埋め込みECCを備えた高性能4 Mbit CMOS高速静的RAMです。密度は4 Mbitであり、並列インタフェースを提供し、動作速度は10 nsです。このFAST SRAMは-40°Cから85°Cまでの広い温度範囲で動作し、動作電圧範囲は2.2Vから3.6Vです。デバイスはシングルチップイネーブルオプションと複数のピン構成で提供され、リードボールフィニッシュはNi/Pd/Auです。さらに、256K x 16の構成を備え、読み取りサイクル中のエラー検出および訂正イベントを示すERRピンが含まれています。要するに、CY7C1041G30-10ZSXIは産業用途向けに高密度、高速、信頼性のある動作を提供します。
特長
- 高速
- シングル ビット エ ラー訂正用の内蔵 ECC
- 少ないア ク テ ィ ブおよびス タ ンバイ電流
- 動作電圧範囲:2.2V to 3.6V
- 1.0V デー タ保持
- TTL 互換の入出力
サポート