CY15B104QSN-108SXI 4Mb 3.0V 産業用 108MHz シリアル ( クアッド SPI) EXCELON™ F-RAM in 8-pin SOIC

EXCELON™ Ultra CY15B104QSN-108SXI は先進的な強誘電体プロセスを適⽤した高性能 4M ビットの不揮発性メモ リです。強誘電体ランダム アクセス メモリ (F-RAM) は不揮発性であり、RAM 同様に読み書きを実⾏しま す。シリアル フラッシュやその他の不揮発性メモリによる複雑さ、オーバーヘッド、システム レベル の信頼性関連問題を回避し、151 年間にわたって信頼できるデータ保持ができます。 シリアル フラッシュと異なり、CY15B104QSN-108SXI はバス速度で書き込み動作を実⾏します。書き込み遅延は 発生しません。データは各バイトがデバイスに正常に転送された直後にメモリ アレイに書き込まれま す。次のバス サイクルはデータ ポーリングを必要とせず開始できます。また、本製品は他の不揮発性 メモリと比較して多くの書き換え回数を提供しています。CY15B104QSN-108SXI は 1014 回の読み出し / 書き込み サイクル、即ち EEPROM に比べ 1 億倍の書き込みサイクルに対応できます。これらの能力により、 CY15B104QSN-108SXI は頻繁で高速書き込みを必要とする不揮発性メモリの⽤途に理想的なものになります。こ れらの⽤途例は書き込み回数を重視するデータ収集から、シリアル フラッシュを使った⻑い書き込み データ保持期間に起因してデータを損失する可能性がある厳しい工業⽤制御まで及びます。