CY15B104Q-SXI 産業用認証を取得し、広範囲な動作範囲を持つ高密度4 Mbit SPI F-RAM
概要
CY15B104Q-SXIは、先進的な強誘電体プロセスを採用した4メガビットの不揮発性メモリです。強誘電体ランダムアクセスメモリ(F-RAM)は不揮発性であり、RAMと同様に読み書きを行います。このデバイスは、シリアルフラッシュ、EEPROM、およびその他の不揮発性メモリによって引き起こされる複雑さ、オーバーヘッド、およびシステムレベルの信頼性問題を排除しながら、信頼性の高いデータの保持を151年間提供します。シリアルフラッシュやEEPROMとは異なり、CY15B104Q-SXIはバス速度での書き込み操作を行います。書き込み遅延は発生しません。データは、各バイトがデバイスに正常に転送された後、すぐにメモリ配列に書き込まれます。次のバスサイクルは、データのポーリングが不要で開始できます。さらに、他の不揮発性メモリに比べて実用的な書き込み耐久性を提供します。CY15B104Q-SXIは1014回の読み書きサイクルをサポートでき、EEPROMよりも100倍の書き込みサイクルを提供します。
特長
- 512K×8 構成の 4M ビ ッ ト 強誘電体ラ ンダム アクセス メモリ (F-RAM)
- 高いア クセス可能回数 : 100 兆 (1014) 回の読み出し/書き込み
- 151年のデー タ保持
- NoDelay™ 書き込み
- 信頼性の高い強誘電体プロセスを使用
- 高速のシ リ アル ペリ フ ェラル インターフ ェース (SPI)
- 洗練された書き込み保護スキーム
- メーカー ID および製品 ID
- 低消費電力
- 低電圧動作 : VDD=2.0V ~ 3.6V
- 産業機器用途向け温度範囲 : –40°C ~ +85°C
サポート