CY15B104Q-SXI 産業用認証を取得し、広範囲な動作範囲を持つ高密度4 Mbit SPI F-RAM

CY15B104Q-SXIは、先進的な強誘電体プロセスを採用した4メガビットの不揮発性メモリです。強誘電体ランダムアクセスメモリ（F-RAM）は不揮発性であり、RAMと同様に読み書きを行います。このデバイスは、シリアルフラッシュ、EEPROM、およびその他の不揮発性メモリによって引き起こされる複雑さ、オーバーヘッド、およびシステムレベルの信頼性問題を排除しながら、信頼性の高いデータの保持を151年間提供します。シリアルフラッシュやEEPROMとは異なり、CY15B104Q-SXIはバス速度での書き込み操作を行います。書き込み遅延は発生しません。データは、各バイトがデバイスに正常に転送された後、すぐにメモリ配列に書き込まれます。次のバスサイクルは、データのポーリングが不要で開始できます。さらに、他の不揮発性メモリに比べて実用的な書き込み耐久性を提供します。CY15B104Q-SXIは10¹⁴回の読み書きサイクルをサポートでき、EEPROMよりも100倍の書き込みサイクルを提供します。