REF_PS_SIC_DP1

概要

TO-247 3/4ピン評価プラットフォームのCoolSiC™MOSFET 1200 V用ミラークランプ機能ボード

本リファレンスボードは、CoolSiC™ MOSFET 1200 V評価プラットフォームの最初のドライブカードです。寄生ターンオンを防ぐアクティブミラークランプを内蔵したEiceDRIVER™ 1EDC Compact 1EDC20I12MHを搭載しています。2枚目のドライブカードは、EiceDRIVER™ 1EDC Compact 1EDC60H12AHを搭載しており、VCC2が+15 V、GND2がマイナスのバイポーラ電源を供給することができます。

EiceDRIVER™ゲートドライバICなど、CoolSiC™ MOSFET 1200V評価プラットフォームは、TO247 3ピンおよび4ピンタイプの炭化ケイ素CoolSiC™ MOSFETの駆動オプションを提供するため開発されました。これらのオプションを実現するため、マザーボードと（現在は）2枚のドライブカードに分割された設計になっています。モジュール方式は、将来的に新しいドライブカードでプラットフォームを拡張できるようにするために選択されたアプローチです。マザーボードは、最大電圧800V、最大パルス電流130Aを想定して設計されています。様々なドライバICとCoolSiC™ MOSFETを搭載したドライブカードの拡充が予定されています。

特長

  • VCC2ゲート駆動電圧電源範囲：-5V～+20V
  • VCC1電源+5V固定
  • SMA-BNCコネクタによるゲート接続
  • オプションの同軸シャントによる電流測定
  • 最適化された整流ループ
  • 外付け負荷インダクタ接続
  • ヒートシンク設計により、様々な温度でのテストが可能

利点

  • ドライブカードのレイアウトを、お客様のオリジナル設計のリファレンスとしてご使用いただけます。
  • すべてのTO-247 3ピンおよび4ピンパッケージのベンチマークテストが可能です（基材技術やメーカーに非依存）。
  • マザーボードにはモジュラーアプローチを採用しているため、将来的にプラットフォームを拡張することができます。
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