EVAL_HB_PARALLELGAN
概要
大電力アプリケーション向けにCoolGaN™ 600V HEMTをハーフブリッジ構成で並列駆動する方法
EVAL_HB_ParallelGaNは、より高い電力レベルの設計を実現するためにインフィニオンのCoolGaN™の並列駆動を検討しようとする設計技術者のための評価プラットフォームです。この評価ボードを使って、並列構成の各デバイスの動的および静的電流配分をMHzレベルまで確認できます。このボードは、きわめて高速なGaNデバイスでトラブルのない動作を実現するためのPCBレイアウト方法の良い参考資料にもなります。このボードは、絶縁された制御およびハイサイド/ローサイドドライバ電源を使って設計されており、ドライバは、オフ時には負電圧をゲートへ供給して、高いdV/dtによるシュートスルー電流のリスクを最小化します。大電力での連続運転が必要な場合は、絶縁サーマルパッド付きのヒートシンクをデバイスに取り付けることも可能です。デバイスのソース端子を通じたカップリングは発振につながる恐れがあるので、これを防止するためにゲートコモンモードインダクタが付いています。
特長
- ハーフブリッジ環境でのGaN並列駆動のメリットおよび問題点の評価
- ハードスイッチングまたはソフトスイッチングのためのバック、ブースト、パルス動作を設定可能
- 個別のシャント抵抗により動的および静的電流配分を監視可能
- デッドタイムを調整可能
利点
- RDS(on)を事実上半減することにより電流容量を倍増
- 1つのドライバで2つの並列GaNデバイスをドライブ可能
推奨アプリケーション例
- 電源(SMPS)
部品リスト:
- CoolGaN™ 600V e-モード
(IGOT60R070D1) - 1200VシングルハイサイドゲートドライバIC
(1EDI20N12AF)
エラッタシートをご覧ください。
Introduction guide
Download the reference design data here.
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Errata sheet
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