リアルとデジタルの世界をひとつにEVAL-1ED3121MX12H
Evaluation board for 1ED3121MX12H - 2300 V, 5.5 A, 5.7 kV (rms) single-channel isolated gate driver with separate output, UL 1577 certified, 10.5 V UVLO
The EVAL-1ED3121MX12H is in half-bridge configuration with two gate driver ICs (1ED3121MU12H) to drive power switches such as IGBTs and SiC MOSFETs. This board comes with TRENCHSTOP™ IGBT IKQ75N120CH3. An additional gate driver IC is used for isolated over-current feedback signal from high voltage side to logic control side. Fast operational amplifier is used as comparator for over-current detection. This board is best suited for double-pulse testing.
1ED3121MU12H belongs to the EiceDRIVER™ Compact 1ED31xx family (X3 compact family). 1ED3121 offers separate sink and source output, accurate and stable timing, active shutdown to ensure a safe IGBT off-state in case the output chip is not connected to the power, short-circuit clamping to limit the gate voltage during short circuit. The driver can operate over a wide supply voltage range, either unipolar or bipolar.
特長
- EiceDRIVER™ Compact 1チャンネル絶縁型ゲートドライバー 1ED31xxファミリー (X3コンパクトファミリー)
- 最大2300VのIGBT、SiC、Si MOSFET用
- 2300 Vのオフセット電圧が必要とされる用途で使用可能
- ガルバニック絶縁型コアレス トランス ゲートドライバー
- シンクおよびソースのピーク出力電流5 A (Typ.)
- 絶対最大出力電源電圧40 V
- 伝搬遅延 (30nsの入力フィルター付き) 90ns
- 高いコモンモード過渡耐性 CMTI >200 kV/μs
- ソース/シンク 分離出力
- 短絡クランプ、アクティブシャットダウン
- DSO-8 大きな沿面距離 (>8 mm) の300ミルワイドボディパッケージ
- 低電圧保護(UVLO) 5V/12.5V (ヒステリシス特性)
利点
- フィルターを内蔵しているため、外部フィルターが不要
- ターンオン時のIC間伝搬遅延を7ns以下に抑えることで、経年変化や電流、温度による変化に対応し、アプリケーションの堅牢性を向上
- 高い周囲温度での動作や高速スイッチングアプリケーションに最適
- UL 1577 (予定) VISO = 6.8 kV (rms) × 1秒、7 kV (rms) × 1分
- 出力間のタイトな伝搬遅延マッチングにより、デッドタイムを最小限に抑え、システム効率の向上と高調波歪みを低減
- 正確な閾値とタイミング、UL1577の認証により、アプリケーションの優れた安全性を実現
- 高い絶縁性により、1500V DCのソーラーアプリケーションに使用可能
