EVAL-1ED020I12F2-DB
概要
1200 VのCoolSiC™ MOSFET評価用に1ED020I12-F2を使用した絶縁型ゲート ドライバー ドーター ボード
EVAL-1ED020I12F2-DBは、2つのゲートドライバIC (1ED020I12-F2) を備えたハイサイド/ローサイド構成のCoolSiC™評価プラットフォームのセカンドリビジョンの一部です。このプラットフォームは、TO247 3ピンまたは4ピンパッケージのCoolSiC™ MOSFETまたはIGBTやMOSFETなど、他のパワースイッチの最適な駆動を示すために開発されています。この目標を達成のため、マザーボード EVAL-PS-DP-MAIN とドーターボード EVAL-1ED020I12F2-DB の2枚のボードに分割して設計されました。このモジュール方式により、将来的にゲートドライバーカードを追加してプラットフォームを拡張することができます。また、スイッチの種類は自由に選択することができます。
EVAL-1ED020I12F2-DBは、EiceDRIVER™ 強化絶縁型ドライバー1ED020I12-F2に、寄生ターンオンを防止するアクティブミラークランプと、短絡による損傷を防止するDESAT機能を内蔵したもので、ダブルパルス試験や評価に最適な製品となっています。
特長
- シングルチャネル絶縁型ゲートドライバIC (1ED-F2)
- 600V/1200V IGBT、MOSFET、SiC MOSFET、ディスクリートおよびモジュール用
- 2 Aのレール ツー レール出力電流 (typ.)
- 精密なDESAT保護、VCEsat検出
- アクティブミラークランプ
- アクティブシャットダウンと短絡クランプ
- 28 V 絶対最大電源電圧(出力段)
- 170/165 ns 伝搬遅延 (typ.)
- 出力UVLO 12/11 V
- CMTI ≥ 100 kV/µs
利点
- 出力間のタイトな伝搬遅延マッチング:耐性により、経年変化、電流、温度による変動がなく、アプリケーションの堅牢性が向上
- 高精度なフィルターを内蔵することで、幅広い動作条件で伝搬遅延のばらつきを抑え、外付けフィルターの必要性を低減
- 出力間のタイトな伝搬遅延マッチングにより、デッドタイムを最小限に抑え、システム効率の向上と高調波歪みの低減を実現
- 沿面距離8mmのワイドボディパッケージ
- 負および正のトランジェントに対するイミュニティ、最終製品の信頼性向上
- スイッチング周波数がMHz領域でも低電力損失を実現
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