インフィニオン、車載および産業用パワー エレクトロニクス向けの超低オン抵抗のCoolSiC™ MOSFET 750 V G2を発表

2025年4月29日、ミュンヘン (ドイツ)

インフィニオン テクノロジーズ (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) は、車載および産業用電力変換アプリケーションのシステム効率を向上させ、電力密度を向上するように設計された、新しいCoolSiC™ MOSFET 750 V G2テクノロジーを発表しました。CoolSiC MOSFET 750 V G2テクノロジーは、25 ℃で最大60 mΩの標準オン抵抗値のきめ細かなポートフォリオを提供するため、オンボード チャージャー (OBC)、DC-DCコンバーター、電気自動車 (xEV) 用補助装置のほか、EV充電、ソーラー インバーター、蓄電システム、通信、SMPSなどの産業用アプリケーションを含む幅広いアプリケーションに適しています。

4および7 mΩという超低オン抵抗値は静的スイッチング アプリケーションにおいて優れた性能を実現するため、eFuse、高電圧バッテリ切断スイッチ、ソリッドステート サーキットブレーカー、ソリッドステート リレーなどのアプリケーションに最適です。最適な熱性能と信頼性を提供するように設計されたインフィニオンの革新的なトップサイド冷却 (上面放熱) Q-DPAKパッケージは、クラス最良の4 mΩという最低オン抵抗を実現しています。

このテクノロジーは、優れた R _DS(on) x Q _OSS およびクラス最良のR _DS(on) x Q _fr 性能指数も示してハードスイッチングとソフトスイッチングの両トポロジーにおけるスイッチング損失の削減に貢献し、ハードスイッチングのユーザー事例で優れた効率を発揮しています。このテクノロジーは、ゲート電荷の低減によってスイッチングの高速化とゲート ドライブ損失の低減を可能にし、高周波アプリケーションでの効率を向上させます。

CoolSiC MOSFET 750 V G2はさらに、25 ℃で4.5 Vという高い閾値電圧V _GS(th),typ と超低Q _GD/Q _GS 比の組み合わせも提供して、寄生ターンオン (PTO) に対する堅牢性を強化します。その上、このテクノロジーはゲート駆動能力も拡張するため、最大-7 Vの静的ゲート電圧と最大-11 Vの過渡ゲート電圧に対応します。この強化された電圧許容範囲によって、より大きな設計マージンと、その他の市販デバイスへの最良の適合性がエンジニアに与えられます。

CoolSiC 750 V G2は、車載グレード部品に対するAEC Q101規格と産業グレード部品に対するJEDEC規格に厳密に準拠しているため、比類のないスイッチング性能、高度な使いやすさ、優れた信頼性を実現します。これによって、より効率的で費用対効果の高い小型化設計が可能になり、拡大し続ける市場ニーズを満たすとともに、安全性が極めて重要な車載用途における信頼性と長寿命化への取り組みが強化されます。

供給状況について

インフィニオンのCoolSiC MOSFET 750 V G2 Q-DPAK 4/7/16/25/60 mΩのサンプルは、現在注文可能です。詳細については、 www.infineon.com/coolsic-750vをご覧ください。

インフィニオン テクノロジーズは、パワーシステムとIoTにおける半導体分野のグローバルリーダーであり、製品とソリューションを通じて、脱炭素化とデジタル化を推進しています。全世界で約58,060人の従業員を擁し (2024年9月末時点)、2024会計年度 (2023年10月～2024年9月) の売上高は約150億ユーロです。ドイツではフランクフルト証券取引所 (銘柄コード：IFX)、米国では店頭取引市場のOTCQX (銘柄コード：IFNNY) に上場しています。ウエブサイト https://www.infineon.com/ 　Follow us: X - Facebook - LinkedIn