インフィニオン、パワーレンジ 30~500W のアプリケーションに向けて 新たに CoolGaN™ IPS ファミリを追加

2021/05/04 | マーケットニュース

2021 年 5 月 4 日、ミュンヘン (ドイツ)

ワイドバンドギャップ(WBG)材料の窒化ガリウム(GaN)をベースにしたパワースイッチは、優れた効率性 と高いスイッチング周波数を実現し、パワーエレクトロニクスの新時代の幕開けとなります。 インフィニオンテクノロジーズ AG(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)は、 WBG パワーデバイスの幅広いポート フォリオに、新たなインテグレーテッドパワーステージ(IPS)製品の CoolGaN™ IPS ファミリを追加しました。 最初の IPS ファミリは、ハーフブリッジおよびシングルチャネル製品で構成されており、 充電器やアダプタ ースイッチング電源(SMPS)などの低中電力アプリケーションをターゲットにしています。

600V CoolGaN ハーフブリッジ型 IPS IGI60F1414A1L は、低中電力分野での小型 軽量設計に最適で す。熱に対し強化された 8x8 QFN-28 パッケージを採用により、非常に高い電力密度のシステムを実現し ています。本製品は、140mΩ/600V の CoolGaN e-mode HEMT スイッチを 2 個搭載し、インフィニオンガ ルバニック絶縁型ハイサイドおよびローサイドの専用ゲートドライバの EiceDRIVER™ファミリを備えていま す。

IGI60F1414A1L は、2 つのデジタル PWM 入力を備えた絶縁型ゲートドライバにより、制御が容易になり ます。統合された絶縁機能は、デジタルと電源グランドをきれいに分離し、PCB レイアウトの複雑さの軽減 より、開発期間の短縮と、システム部品点数の削減など、トータルコストの削減に寄与します。 ゲートドライバの入力と出力の絶縁は、インフィニオンの実績あるオンチップ コアレストランスフォーマー (CT)技術に基づいています。これにより、電圧スロープが 150V/ns を超えるような非常に高速なスイッチ ングトランジェントに対しても、高速性と優れた堅牢性が保証されます。

IGI60F1414A1L のスイッチング動作は、いくつかの受動素子を使って、さまざまなアプリケーションのニー ズに簡単に適合させることができます。例えば、EMI(電磁妨害)対策用のスルーレートの最適化、定常的なゲート電流の設定、ハードスイッチアプリケーションでの堅牢な動作用のネガティブゲートドライブなど です。

さらにシステムイン パッケージの集積化とゲートドライバの高精度で安定した伝搬遅延により、システムの デッドタイムを最小限に抑えることができ、システム効率を最大限に高めることができます。 また、充電器やアダプター用途では、最大 35W/in³の電力密度を実現しており、LLC 共振トポロジーやモ ータードライブなどの他のアプリケーションでも、柔軟で簡単かつ迅速な設計が可能です。

出荷状況 IGI60F1414A1L は、熱強化された 8x8 QFN-28 パッケージで提供され、現在、ご注文を受け付けておりま す。詳細については、 www.infineon.com/coolgan-ips よりご覧いただけます。

Information Number

INFPSS202105-067j

Press Photos

  • The 600 V CoolGaN™ half-bridge IPS IGI60F1414A1L is ideally suited for compact and lightweight designs in the low-to-medium power range. Coming in a thermally enhanced 8x8 QFN-28 package, it enables systems with very high power density. The product combines two 140 mΩ / 600 V CoolGaN e-mode HEMT switches with dedicated galvanically isolated high- and low-side gate drivers out of Infineon’s EiceDRIVER™ family.
    The 600 V CoolGaN™ half-bridge IPS IGI60F1414A1L is ideally suited for compact and lightweight designs in the low-to-medium power range. Coming in a thermally enhanced 8x8 QFN-28 package, it enables systems with very high power density. The product combines two 140 mΩ / 600 V CoolGaN e-mode HEMT switches with dedicated galvanically isolated high- and low-side gate drivers out of Infineon’s EiceDRIVER™ family.
    CoolGaN_IPS_TIQFN_28_1

    JPG | 589 kb | 2126 x 1067 px