高性能セラミックを採用した新しい EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET パワーモジュールにより、電力密度の向上と設計のコンパクト化を実現

2021/04/29 | マーケットニュース

2021 年 4 月 29 日ミュンヘン (ドイツ)

インフィニオンテクノロジーズ AG（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）は、1200v ファミリーの EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET モジュールに、新しい窒化アルミニウム（AIN）セラミックを採用しアップグレードしま した。これらのデバイスはハーフブリッジ構成、オン抵抗/RDS(on)が EasyDUAL 1B パッケージで 11mΩ、 EasyDUAL 2B パッケージで 6mΩ となります。高性能セラミックを採用したデバイスは、特に ソーラーシス テム、 無停電電源装置、補助インバータ、 エネルギー貯蔵システム、 電気自動車の充電器など、高電力 密度のアプリケーションに適しています。

EasyDUAL モジュールの FF11MR12W1M1_B70 と FF6MR12W2M1_B70 は、信頼性の高い優れたゲー ト酸化膜を採用した最新の CoolSiC MOSFET 技術を搭載しています。さらに DCB 材料の熱伝導性の向 上により、ヒートシンクへの熱抵抗（RthJH）を最大で 40%低減します。新しい AIN セラミックデバイスは、 CoolSiC Easy モジュールと組み合わせることで、出力電力の増加やジャンクション温度の低下を可能にし ます。これにより、システムの寿命を延ばすことができます。

出荷状況 EasyDUAL CoolSiC MOSFET モジュールの FF11MR12W1M1_B70 および FF6MR12W2M1_B70 は、 現在販売中です。詳しい情報は、 www.infineon.com/easy をご覧ください。

Information Number

INFIPC202104-062j

Press Photos

  • The new EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET 1200 V modules from Infineon feature an aluminum nitride (AIN) ceramic reducing the thermal resistance to the heat sink (RthJH) by up to 40 percent. The devices come in half-bridge configuration with an on-state resistance (RDS(on)) of 11 mΩ in an EasyDUAL 1B package and 6 mΩ in an EasyDUAL 2B package.
    The new EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET 1200 V modules from Infineon feature an aluminum nitride (AIN) ceramic reducing the thermal resistance to the heat sink (RthJH) by up to 40 percent. The devices come in half-bridge configuration with an on-state resistance (RDS(on)) of 11 mΩ in an EasyDUAL 1B package and 6 mΩ in an EasyDUAL 2B package.
    CoolSiC_MOSFET-Easy1B

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  • The new EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET 1200 V modules from Infineon feature an aluminum nitride (AIN) ceramic reducing the thermal resistance to the heat sink (RthJH) by up to 40 percent. The devices come in half-bridge configuration with an on-state resistance (RDS(on)) of 11 mΩ in an EasyDUAL 1B package and 6 mΩ in an EasyDUAL 2B package.
    The new EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET 1200 V modules from Infineon feature an aluminum nitride (AIN) ceramic reducing the thermal resistance to the heat sink (RthJH) by up to 40 percent. The devices come in half-bridge configuration with an on-state resistance (RDS(on)) of 11 mΩ in an EasyDUAL 1B package and 6 mΩ in an EasyDUAL 2B package.
    CoolSiC_MOSFET-Easy2B

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