インフィニオン、宇宙グレードのFPGA向けに業界初の耐放射線性を備えた QML-V認証NORフラッシュ メモリを発表

2021/07/27 | マーケットニュース

2021年7月20日、ミュンヘン (ドイツ)

宇宙グレードのフィールド プログラマブル ゲート アレイ (FPGA) には、ブート コンフィギュレーションを格納する信頼性の高い大容量不揮発性メモリが必要です。インフィニオン テクノロジーズ (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 傘下のインフィニオン テクノロジーズLLCは本日、高信頼性メモリへのニーズの高まりに対応するため、MIL-PRF-38535のQML-V Flow (QML-V Equivalent) に準拠した業界初の大容量耐放射線 (RadTol) NORフラッシュ メモリ製品を発表しました。QML-V Flowは、航空宇宙グレードのICに対する最高の品質と信頼性の規格認証です。 

インフィニオンの256 Mbおよび512 MbのRadTol NORフラッシュ不揮発性メモリは、FPGAのコンフィギュレーション、イメージ ストレージ、マイクロコントローラーのデータおよびブート コードの保存などの用途に対し、優れた低ピン数のシングル チップ ソリューションを提供します。高クロックレートでの使用時には、従来のパラレル非同期NORフラッシュ メモリと同等以上のデータ転送をサポートしながら、ピン数を大幅に削減しています。このデバイスは、30 krad (Si) バイアス、125 krad (Si) アンバイアスまでの耐放射線性を備えています。また、125℃では1,000回のProgram/Eraseサイクルと30年のデータ保持を、85℃では10,000回のProgram/Eraseサイクルと250年のデータ保持をサポートしています。

宇宙グレードのメモリ製品のリーダーであるインフィニオンは、65 nmフローティング ゲート フラッシュ プロセス技術を活用して、RadTol 256 Mb Quad-SPI (QSPI) および 512 Mb Dual Quad-SPI NORフラッシュを開発しました。両製品とも、133 MHz SDRのインターフェース速度を備えています。512 Mbのデバイスは、2つの独立した256 Mbダイが1つのパッケージに並んで配置されています。これにより、設計者はどちらかのダイでデュアルQSPIまたはシングルQSPIモードでデバイスを動作させることができ、バックアップ ソリューションとして2つ目のダイを使用するオプションも提供します。インフィニオンは、ザイリンクス社などの主要なFPGAエコシステム企業と緊密に協力して、スペース グレード アプリケーションに取り組んでいます。

インフィニオン テクノロジーズLLCの航空宇宙および防衛担当ヴァイス プレジデント フェローであるヘルムート プフナー (Helmut Puchner) は、「当社の耐放射線性デュアルQSPI不揮発性メモリは、最新の宇宙グレードFPGAに完全に対応しています。これにより、プロセッサやFPGAを構成するための優れた低ピン数のシングル チップ セレクト ソリューションを可能にします。たとえば、Xilinx Kintex® UltraScale™ XQRKU060の全イメージは、Dual Quadモードで約0.2秒でロードすることができます」と述べています。

このNORフラッシュ デバイスは、FPGAを介してインシステムでプログラムはもちろん、スタンドアロンのプログラマーを介してプログラムすることも可能で、同じ36リードのセラミック フラット パッケージで提供されます。また、インフィニオンの開発キットとソフトウェアを使用して容易に設計を行うことができます。

供給状況

RadTol NORフラッシュ デバイスは、24 X 12 mm 2の36ピン セラミック フラット パック パッケージで提供されます。このデバイスは、-55℃から125℃までの温度グレードをサポートし、SEUレート < 1 X 10 -16 Upsets/Bit-day、SEL > 60 MeV.cm 2/mg (85℃)、SEFI > 60 MeV.cm 2/mg (LET)、SEUスレッショルド > 28 Mev.cm 2/mg (LET) を実現しています。詳細は japan.cypress.com/products/radiation-hardened-memoryをご覧ください。

Information Number

INFATV202107-085j

Press Photos

  • Infineon’s 256 Mb and 512 Mb NOR Flash non-volatile memories are radiation-tolerant up to 30 krad (Si) biased and 125 krad (Si) unbiased. At 125°C, the devices support 1,000 Program/Erase cycles and 30 years of data retention and at 85°C 10k Program/Erase cycles with 250 years of data retention. They are qualified to MIL-PRF-38535’s QML-V flow (QML-V Equivalent), the highest quality and reliability standard certification for aerospace-grade ICs.
    Infineon’s 256 Mb and 512 Mb NOR Flash non-volatile memories are radiation-tolerant up to 30 krad (Si) biased and 125 krad (Si) unbiased. At 125°C, the devices support 1,000 Program/Erase cycles and 30 years of data retention and at 85°C 10k Program/Erase cycles with 250 years of data retention. They are qualified to MIL-PRF-38535’s QML-V flow (QML-V Equivalent), the highest quality and reliability standard certification for aerospace-grade ICs.
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  • Infineon’s 256 Mb and 512 Mb NOR Flash non-volatile memories are radiation-tolerant up to 30 krad (Si) biased and 125 krad (Si) unbiased. At 125°C, the devices support 1,000 Program/Erase cycles and 30 years of data retention and at 85°C 10k Program/Erase cycles with 250 years of data retention. They are qualified to MIL-PRF-38535’s QML-V flow (QML-V Equivalent), the highest quality and reliability standard certification for aerospace-grade ICs.
    Infineon’s 256 Mb and 512 Mb NOR Flash non-volatile memories are radiation-tolerant up to 30 krad (Si) biased and 125 krad (Si) unbiased. At 125°C, the devices support 1,000 Program/Erase cycles and 30 years of data retention and at 85°C 10k Program/Erase cycles with 250 years of data retention. They are qualified to MIL-PRF-38535’s QML-V flow (QML-V Equivalent), the highest quality and reliability standard certification for aerospace-grade ICs.
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