EiceDRIVER™ X3 Enhancedファミリーが、設計の柔軟性の向上とハードウェアの複雑さを軽減

2020/12/03 | マーケットニュース

2020年12月3日、ミュンヘン(ドイツ)

インフィニオン テクノロジーズ(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY)は、EiceDRIVER™の絶縁型ゲートドライバーファミリからX3 Enhancedアナログ( 1ED34xx)とデジタル( 1ED38xx)ゲートドライバICを発売しました。両デバイスは、3、6、9Aの出力電流、正確な短絡検出、ミラークランプ、およびソフトターンオフ機能を備えています。さらに1ED34xxは、外部抵抗に応じて短絡検出時のフィルタ時間とソフトターンオフ時の電流調整をすることが可能となっています。この機能により、外部コンポーネントの削減が図られ、設計時間を短縮できます。1ED38xxは、1 2Cを介したパラメータの設定が可能です。これにより、設計の柔軟性が向上し、ハードウェアの複雑さが軽減され、評価時間の短縮を実現しています。これらのゲートドライバは、 産業用ドライブソーラーシステム無停電電源装置EV充電器、その他の産業用アプリケーションに適しています。

EiceDRIVER X3 Enhanced 1ED34xxおよび1ED38xxファミリーは、IGBTだけでなく、ディスクリートやモジュールパッケージのSiCおよびSi MOSFETにも適しています。最大9Aの出力電流により、外部ブースターコンポーネントが不要となり、200kV/μsを超える並外れたCMTIの堅牢性で、スイッチングパターンの障害を回避することができます。両ゲートドライバファミリーは、40Vの絶対最大出力電源電圧と最大30nsの高い伝搬遅延精度を備え、デッドタイムの短縮化を実現しています。1ED38xxのI 2C構成オプションには、短絡検出、ソフトターンオフ、低電圧ロックアウト(UVLO)、ミラークランプ、および過熱シャットダウンなどがあります。このゲートドライバファミリーは、ソフトウェア設定(TLTOff)による2レベルのターンオフ機能も備えました。

1ED34xxおよび1ED38xxゲートドライバは、沿面距離8mmの小型DSO-16ファインピッチパッケージで提供されます。両デバイスともUL 1577(5.7kVRMS)認証済みの絶縁耐圧を備えており、正確な閾値とタイミングにより、アプリケーションの高い安全性を保証します。また、いずれのデバイスも、産業用アプリケーションの過酷な環境に耐え得るように構築されています。

供給状況

EiceDRIVER Enhanced 1ED34xxと1ED38xx、および EVAL-1ED3491MX12M評価ボードは、現在注文可能となっています。詳細については、 www.infineon.com/gdisolatedをご覧ください。

Information Number

INFIPC202012-024j

Press Photos

  •  The EiceDRIVER™ X3 Enhanced 1ED34xx and 1ED38xx families are designed for IGBTs as well as for SiC and Si MOSFETs in discrete and module packages. The output current of up to 9 A eliminates the need for external booster components. Exceptional CMTI robustness of more than 200 kV/µs avoids faulty switching patterns.
    The EiceDRIVER™ X3 Enhanced 1ED34xx and 1ED38xx families are designed for IGBTs as well as for SiC and Si MOSFETs in discrete and module packages. The output current of up to 9 A eliminates the need for external booster components. Exceptional CMTI robustness of more than 200 kV/µs avoids faulty switching patterns.
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  •  The EiceDRIVER™ X3 Enhanced 1ED34xx and 1ED38xx families are designed for IGBTs as well as for SiC and Si MOSFETs in discrete and module packages. The output current of up to 9 A eliminates the need for external booster components. Exceptional CMTI robustness of more than 200 kV/µs avoids faulty switching patterns.
    The EiceDRIVER™ X3 Enhanced 1ED34xx and 1ED38xx families are designed for IGBTs as well as for SiC and Si MOSFETs in discrete and module packages. The output current of up to 9 A eliminates the need for external booster components. Exceptional CMTI robustness of more than 200 kV/µs avoids faulty switching patterns.
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