1200Vレベルシフト三相SOI EiceDRIVER™が、優れた堅牢性を実現

2020/11/26 | マーケットニュース

2020年11月26日、ミュンヘン(ドイツ)

インフィニオン テクノロジーズ(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY)は、1200V三相ゲートドライバを投入し、レベルシフトEiceDRIVER™ラインアップの拡大を図りました。このドライバは、同社独自のシリコン オン インシュレータ(SOI)テクノロジーをベースにしています。本デバイスは、業界屈指の負のVS過渡耐性、優れたラッチアップ耐性、および高速の過電流保護機能を備え、ブートストラップダイオードを内蔵したモノリシック型デバイスとなっています。こうした独自の機能により、BOMの簡略化が図られ、産業用ドライブや組み込みインバータアプリケーションに適したコンパクトなフォームファクタで、より堅牢な設計が可能となっています。

レベルシフトゲートドライバ 6ED2230は、ソースとシンクの駆動能力がそれぞれ350mA、650mAとなっています。また、デッドタイム制御によるシュートスルー保護機能を内蔵しています。+/-5%のしきい値精度基準を備えた過電流保護コンパレータが、高速かつ繰り返し可能な、信頼性の高いスイッチ保護を実現しています。内蔵されたブートストラップダイオードにより、40Ωという非常に低い抵抗での超高速逆回復が可能となっています。

100Vまでの負のVS過渡電圧耐性が、優れた堅牢性と信頼性の高い動作を可能にしています。ローサイドおよびハイサイドの電圧出力は、独立した低電圧誤作動防止(UVLO)機能を備えており、安全な動作を保証します。独自のDSO-24フットプリントにより、低電圧と高電圧が分離され、空間距離と沿面距離のさらなる拡大も実現しました。

供給状況

EiceDRIVER 6ED2230は、独自のフットプリントを使用したDSO-24 300 milパッケージ(業界標準のDSO-28パッケージ寸法)が、現在注文可能となっています。このパッケージはピン数が少なく、人体モデル(HBM)による試験において、2kVという優れたESD評価を受けています。詳細については、 www.infineon.com/SOIをご覧ください。

Information Number

INFIPC202011-022j

Press Photos

  • The SOI level-shift EiceDRIVER™ 6ED2230 provides 350 mA / 650 mA source and sink drive capability. The device provides leading negative VS transient immunity, superior latch-up immunity, fast over-current protection, and the monolithic integration of real bootstrap diodes.
    The SOI level-shift EiceDRIVER™ 6ED2230 provides 350 mA / 650 mA source and sink drive capability. The device provides leading negative VS transient immunity, superior latch-up immunity, fast over-current protection, and the monolithic integration of real bootstrap diodes.
    EiceDRIVER_6ED2230

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