堅牢性に優れた統合ブートストラップダイオード搭載の650VハーフブリッジSOIドライバファミリー

2020/01/17 | マーケットニュース

2020年1月8日、ミュンヘン（ドイツ） 

インフィニオン テクノロジーズ（FSE：IFX / OTCQX：IFNNY）は、インフィニオン独自のシリコン オン インシュレータ（SOI）技術に基づく650Vハーフブリッジゲートドライバの新規製品を追加し、EiceDRIVER TMのラインアップを拡大します。これらの製品は、負の過渡電圧耐性、主要なブートストラップダイオードのモノリシック統合、MOSFETおよびIGBTベースのインバータアプリケーション向けの優れたラッチアップ耐性を提供するものです。こうした独自の機能により、BOMコストを削減しながら、堅牢性と信頼性に優れた設計が可能になります。高出力電流ファミリーの2ED218xは、 電磁調理器、 空調用コンプレッサ、SMPS、UPSなどの高周波数用途向けに調整されています。また、低出力電流ファミリーの2ED210xは、 家電製品、 パワーツール、 モータ制御および駆動、ファンならびにポンプを対象としています。 

2ED218xは2.5Aの高電流EiceDRIVERファミリー、2ED210xは0.7Aの低電流ファミリーとなっています。これらには、シャットダウン機能、個別の論理グラウンドおよび電力回路用グラウンドを備えたバリアントが含まれます。内蔵のブートストラップダイオードは、標準の30Ωのオン抵抗により超高速逆回復を行います。また300ns幅の繰り返しパルスにおける-100Vの負のVS耐性により、ラッチアップに対する優れた堅牢性と信頼性の高い動作を提供します。さらに、デッドタイムをクロスコンダクション防止ロジックならびにハイ側およびロー側の電圧供給用として独立した低電圧ロックアウト（UVLO）機能と統合させることで安全な動作をサポートします。ゲートドライバファミリーの伝搬遅延は200 nsになります。 

供給状況

2ED218xおよび2ED210xは、電気的および機能的にピントゥーピンとなっており、以前の世代であるIR（S）218xおよびIR（S）210xデバイスとの互換性があります。これらは、2kV HBM ESD定格（2ED218xのみ）の業界標準のDSO-8（SOIC8）およびDSO-14（SOIC-14）パッケージで入手可能です。また、2ED218xおよび2ED210xの両製品ファミリーは、生産サンプルとしての大量発注が可能です。詳細については www.infineon.com/SOIをご覧ください。

Information Number

INFIPC202001-018j

Press Photos

  • The new 650 V EiceDRIVER™ SOI half-bridge gate drivers provide leading negative transient voltage immunity, monolithic integration of a real bootstrap diode, and superior latch-up immunity. Both families, 2ED218x and 2ED210x, aim at MOSFET and IGBT based inverter applications.
    The new 650 V EiceDRIVER™ SOI half-bridge gate drivers provide leading negative transient voltage immunity, monolithic integration of a real bootstrap diode, and superior latch-up immunity. Both families, 2ED218x and 2ED210x, aim at MOSFET and IGBT based inverter applications.
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  • The new 650 V EiceDRIVER™ SOI half-bridge gate drivers provide leading negative transient voltage immunity, monolithic integration of a real bootstrap diode, and superior latch-up immunity. Both families, 2ED218x and 2ED210x, aim at MOSFET and IGBT based inverter applications.
    The new 650 V EiceDRIVER™ SOI half-bridge gate drivers provide leading negative transient voltage immunity, monolithic integration of a real bootstrap diode, and superior latch-up immunity. Both families, 2ED218x and 2ED210x, aim at MOSFET and IGBT based inverter applications.
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