インフィニオン、新しいCoolSiC™ショットキーダイオード1200V G5のラインアップで電気自動車の直流充電およびその他の産業用途での高い効率を実現

2019年5月7日、ミュンヘン（ドイツ） 

インフィニオン テクノロジーズは、TO247-2パッケージを発表しCoolSiC™ショットキー1200V G5ダイオードのラインアップを拡充しております。本製品は高周波数域のシリコンダイオードを容易に置き換えることが可能です。8.7 mmに拡大された沿面および絶縁距離は、汚染の激しい環境での安全性をさらに高めます。電気自動車の直流充電、太陽光発電システム、無停電電源（UPS）、およびその他の産業用途向けに、順方向電流は最大40Aまでとなっています。 

シリコンIGBTまたはスーパージャンクションMOSFETと組み合わせて使用することにより、このCoolSiCショットキー1200V G5ダイオードは、シリコンダイオードを使用した場合と比較して最大1％まで効率を改善します。これにはたとえば3相変換システムに使用されるVienna整流器やPFCブーストステージが該当します。 

SiCショットキーの特徴であるわずかな逆回復損失に加え、このCoolSiCショットキー1200 V G5ダイオードのラインアップは、クラス最高の順方向電圧（V _F）、温度によるV _Fのわずかな上昇、および最高レベルのサージ電流耐性を備えています。これにより市場をリードする効率とシステムの信頼性向上を、魅力的な価格帯で実現しています。定格電流10AのCoolSiCショットキー1200V G5ダイオードは、その優れた効率により30Aのシリコンダイオードをそのまま置き換えることができます。 

供給状況

TO247-2ピンパッケージによるCoolSiCショットキー1200V G5ダイオードのラインアップは、10A / 15A / 20A / 30A / 40Aの5つの電流クラスで供給中です。詳細については www.infineon.com/sicdiodes1200v をご覧ください。