インフィニオン、ディスクリートパッケージによるCoolSiC™ MOSFETの幅広いラインアップについて量産規模を拡大するとともに展開を加速

2019/05/24 | マーケットニュース

2019年5月7日、ミュンヘン（ドイツ） 

インフィニオン テクノロジーズは、1200V CoolSiC™ MOSFETの包括的ラインアップの量産を開始します。本ラインアップは30 mΩから350 mΩまでの定格を持ち、TO247-3とTO247-4パッケージに封止しています。この生産拡大には表面実装デバイス（SMD）と650V CoolSiC MOSFET製品ファミリが含まれ、いずれも近く提供を開始予定です。インフィニオンはこれらの製品により、需要が急速に高まっている、バッテリー充電インフラストラクチャ、エネルギー貯蔵ソリューション、 太陽光発電インバータ、 無停電電源（UPS）、 モータドライブ、および サーバと 通信向けのスイッチング電源（SMPS）をはじめとした、電力変換処理において優れたエネルギー効率を発揮するSiCソリューションに対する需要に応えます。 

インフィニオンのインダストリアルパワーコントロール事業部プレジデントであるピーター・バーウァー（Peter Wawer）は、次のように述べています。「インフィニオンにおいては、新しいベーステクノロジーを提供するにあたり、その質に対して厳しい条件が課せられます。量産での生産フローについては、ディスクリートパッケージの組み立てにおいても前工程から後工程までにわたる検証が求められます。この検証には統計データ収集、生産状況の監視、およびアプリケーションに合わせた通常手順を超えた検査が含まれます。インフィニオンはシリコンカーバイド（SiC）MOSFETベーステクノロジーの量産化を完了したことに続き、産業向けとして最も包括的なディスクリートSiCのラインアップを市場に提供しようとしています」 

すでに提供が開始されているすべてのTO247パッケージとEasyパワーモジュールパッケージによるCoolSiC MOSFETリード製品と同様、今回の新しいディスクリートデバイスも業界をリードするトレンチSiC MOSFET半導体プロセスを基盤としています。このプロセスは実際のアプリケーションでの損失を最小限に抑えるとともに、動作時の信頼性を最大限に高めることを目的として開発されたものです。さらに、関連するアプリケーションプロファイルに基づき、ゲートソース間動作電圧はディスクリートパッケージによるソリューションに合わされています。動的損失がベンチマークとなるレベルの低さに抑えられているため、シンプルなユニポーラゲートドライブを使って最高の効率が得られます。 

CoolSiCトレンチテクノロジー、4Vを超える他にはない高さの閾値電圧定格（V th）と低いミラー容量とを組み合わせています。このためCoolSiC MOSFETは、市場にある他のSiC MOSFETと比べ、不要な寄生ターンオン効果による影響に対してクラス最高の耐性を示します。マージン電圧が5V、最大定格電圧が+23V、ターンオンゲートソース間電圧が+18Vのこの新しいSiCディスクリートMOSFETは、シリコン（Si）IGBT、スーパージャンクションMOSFET、およびその他の最高レベルのSiC MOSFETに勝る利点を備えています。 

ハードスイッチングに耐えるボディダイオードを含め、このCoolSiC MOSFETラインアップは最高の効率と、「よりわずかなリソースからより多くを生み出す」ための手段をエンジニアに提供します。SiC材料によるMOSFET機能は、力率改善（PFC）回路、双方向トポロジ、およびあらゆるハードスイッチングおよびソフトスイッチングのDC/DCコンバータやDC/ACインバータシステムの設計において新たな次元の柔軟性を実現します。 

インフィニオンはこのディスクリート製品の締めくくりとして、超高速SiC MOSFETスイッチング機能へのニーズを満たす一連のドライバIC製品を提供します。CoolSiC MOSFETとEiceDRIVER™ゲートドライバICは共に、このテクノロジーが持つ優位性である効率改善、スペースと重量の低減、パーツ数削減、およびシステムの信頼性向上を活用しています。これによりシステムコスト削減、運用コスト削減、および総所有コスト削減の可能性が生まれ、スマートにエネルギーを使う世界のための新たなソリューションが実現します。 

供給状況

TO247パッケージによる新しい1200V CoolSiC MOSFETは注文を受け付けており、標準的な納期が適用されます。これに対応するオン抵抗定格のD2PAK-7パッケージのSMDラインアップは、2019年第4四半期にエンジニアリングサンプルの提供を開始します。定格26mΩから107mΩまでの、TO247-3とTO247-4パッケージによる650V CoolSiC MOSFETのエンジニアリングサンプル提供も同じく2019年第4四半期に開始の予定です。詳細については www.infineon.com/coolsic-mosfetをご覧ください。 

PCIM 2019 でのインフィニオン

インフィニオンはPCIM 2019見本市にて、世界にパワーを提供し、未来を形作るアプリケーションのための、製品からシステムまでの革新的ソリューションを展示しました。（2019年5月7〜9日、ドイツ、ニュルンベルク）。PCIM見本市のハイライトについては www.infineon.com/pcimをご覧ください。

Information Number

INFIPC201905-066j

Press Photos

  • The production ramp of the silicon carbide (SiC) MOSFET base technology has been safely completed, Infineon is now bringing the most comprehensive discrete SiC portfolio for industrial applications to the market. The 1200 V CoolSiC™ MOSFET devices are rated from 30 mΩ to 350 mΩ and implemented into TO247-3 and TO247-4 housings. Additionally an 1200 V SMD device in a TO-263-7 package will be added to the portfolio as well as a 650 V device
    The production ramp of the silicon carbide (SiC) MOSFET base technology has been safely completed, Infineon is now bringing the most comprehensive discrete SiC portfolio for industrial applications to the market. The 1200 V CoolSiC™ MOSFET devices are rated from 30 mΩ to 350 mΩ and implemented into TO247-3 and TO247-4 housings. Additionally an 1200 V SMD device in a TO-263-7 package will be added to the portfolio as well as a 650 V device
    650V_CoolSiC_MOSFET_TO247-3

    JPG | 461 kb | 1673 x 2126 px

  • The production ramp of the silicon carbide (SiC) MOSFET base technology has been safely completed, Infineon is now bringing the most comprehensive discrete SiC portfolio for industrial applications to the market. The 1200 V CoolSiC™ MOSFET devices are rated from 30 mΩ to 350 mΩ and implemented into TO247-3 and TO247-4 housings. Additionally an 1200 V SMD device in a TO-263-7 package will be added to the portfolio as well as a 650 V device
    The production ramp of the silicon carbide (SiC) MOSFET base technology has been safely completed, Infineon is now bringing the most comprehensive discrete SiC portfolio for industrial applications to the market. The 1200 V CoolSiC™ MOSFET devices are rated from 30 mΩ to 350 mΩ and implemented into TO247-3 and TO247-4 housings. Additionally an 1200 V SMD device in a TO-263-7 package will be added to the portfolio as well as a 650 V device
    650V_CoolSiC_MOSFET_TO247-4

    JPG | 457 kb | 1660 x 2126 px

  • The production ramp of the silicon carbide (SiC) MOSFET base technology has been safely completed, Infineon is now bringing the most comprehensive discrete SiC portfolio for industrial applications to the market. The 1200 V CoolSiC™ MOSFET devices are rated from 30 mΩ to 350 mΩ and implemented into TO247-3 and TO247-4 housings. Additionally an 1200 V SMD device in a TO-263-7 package will be added to the portfolio as well as a 650 V device
    The production ramp of the silicon carbide (SiC) MOSFET base technology has been safely completed, Infineon is now bringing the most comprehensive discrete SiC portfolio for industrial applications to the market. The 1200 V CoolSiC™ MOSFET devices are rated from 30 mΩ to 350 mΩ and implemented into TO247-3 and TO247-4 housings. Additionally an 1200 V SMD device in a TO-263-7 package will be added to the portfolio as well as a 650 V device
    1200V_CoolSIC_MOSFET_TO247-3

    JPG | 334 kb | 1674 x 2126 px

  • The production ramp of the silicon carbide (SiC) MOSFET base technology has been safely completed, Infineon is now bringing the most comprehensive discrete SiC portfolio for industrial applications to the market. The 1200 V CoolSiC™ MOSFET devices are rated from 30 mΩ to 350 mΩ and implemented into TO247-3 and TO247-4 housings. Additionally an 1200 V SMD device in a TO-263-7 package will be added to the portfolio as well as a 650 V device
    The production ramp of the silicon carbide (SiC) MOSFET base technology has been safely completed, Infineon is now bringing the most comprehensive discrete SiC portfolio for industrial applications to the market. The 1200 V CoolSiC™ MOSFET devices are rated from 30 mΩ to 350 mΩ and implemented into TO247-3 and TO247-4 housings. Additionally an 1200 V SMD device in a TO-263-7 package will be added to the portfolio as well as a 650 V device
    1200V_CoolSIC_MOSFET_TO247-4

    JPG | 329 kb | 1659 x 2126 px

  • The production ramp of the silicon carbide (SiC) MOSFET base technology has been safely completed, Infineon is now bringing the most comprehensive discrete SiC portfolio for industrial applications to the market. The 1200 V CoolSiC™ MOSFET devices are rated from 30 mΩ to 350 mΩ and implemented into TO247-3 and TO247-4 housings. Additionally an 1200 V SMD device in a TO-263-7 package will be added to the portfolio as well as a 650 V device
    The production ramp of the silicon carbide (SiC) MOSFET base technology has been safely completed, Infineon is now bringing the most comprehensive discrete SiC portfolio for industrial applications to the market. The 1200 V CoolSiC™ MOSFET devices are rated from 30 mΩ to 350 mΩ and implemented into TO247-3 and TO247-4 housings. Additionally an 1200 V SMD device in a TO-263-7 package will be added to the portfolio as well as a 650 V device
    1200V_CoolSiC_MOSFET_TO263-7

    JPG | 768 kb | 2126 x 2339 px