優れた堅牢性と信頼性を実現するブートストラップダイオード内蔵のEiceDRIVER 2ED 650V

2018/11/21 | マーケットニュース

2018 年11 月6日、ミュンヘン(ドイツ)


インフィニオンテクノロジーズ(FSE:IFX /OTCQX:IFNNY)は、同社独自のSOIテクノロジーによるハーフブリッジ、定格電圧650VのEiceDRIVERの新製品を発表します。

2ED2304S06Fは、優れた負のVS過渡電圧耐性、モノリシック集積化されたブートストラップ用のダイオード、優れたラッチアップ耐性を備えています。これらのユニークな機能は、より高い周波数でのスイッチングとあわせて、堅牢性と信頼性の高い小型システムを実現し、部品コストを低減します。このハーフブリッジゲートドライバは、大型および小型家電、低電力ドライブ、その他の1kW未満の一般的なインバータモータ駆動アプリケーションに最適です。 

EiceDRIVER 2EDは、ソース電流360mA、シンク電流700mA、伝搬遅延が310nsおよび300nsとなっています(すべて代表値)。最大定格650VのIGBTおよびMOSFETスイッチに最適です。オン抵抗36Ω(代表値)の内蔵ブートストラップダイオードにより超高速の逆回復が可能となっています。繰り返しパルスによる負の過渡電圧(VS)耐性は -100Vであり、きわめて優れた堅牢性を備え、信頼性の高いモータ駆動を実現します。その他の安全機能として、上下短絡防止ロジックを備えた内蔵デッドタイム、ハイサイドおよびローサイド電源に対する独立した低電圧ロックアウトがあります。 

出荷状況について

このハーフブリッジゲートドライバは、以前の世代のデバイスIR2304SPBFおよびIRS2304SPBFと電気的および機能的にそのまま置き換え可能です。

EiceDRIVER 2EDは、業界標準のDSO-8(SOIC8)パッケージで提供されます。

本製品は、完全に生産リリースされており、現在サンプル出荷中です。

本製品の詳細は、 www.infineon.com/EiceDRIVERをご覧ください。

Information Number

INFIPC201810-007j

Press Photos

  • The EicDRIVER 2ED2304S06F 650 V provides leading negative VS transient immunity, monolithic integration of a real diode for bootstrap, and superior latch-up immunity. Combined with higher frequency switching, these unique features enable more robust, reliable, smaller systems and reduce BOM cost.
    The EicDRIVER 2ED2304S06F 650 V provides leading negative VS transient immunity, monolithic integration of a real diode for bootstrap, and superior latch-up immunity. Combined with higher frequency switching, these unique features enable more robust, reliable, smaller systems and reduce BOM cost.
    EiceDRIVER-2ED-650-V

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