インフィニオン、高信頼度の起動のための200Vハーフブリッジゲートドライバーを発表、ドライバーのポートフォリオをさらに強化

2018年9月6日、ミュンヘン（ドイツ） 

インフィニオン テクノロジーズ（FSE：IFX／OTCQX：IFNNY）は、IRS2007S 200 V ハーフブリッジゲートドライバーを標準のSOIC-8（DSO-8）パッケージにて提供を開始します。この製品は、EiceDRIVER™ 200 Vレベルシフトゲートドライバーファミリーに新たに加わります。VCCとVBSについて低電圧保護機能（UVLO）を搭載し、起動時及び電圧低下時にハイサイドとローサイドのスイッチを保護して高い信頼性を可能にします。IRS2007Sはバッテリー駆動デバイスでの、低電圧（24 V、36 V、および48 V）と中電圧（60 V、80 V、100 V、および120 V）モーター制御アプリケーションに合わせて設計されています。このようなデバイスは一般に 電動工具、家庭および園芸用機器、電動バイクや電動スクーターなどの 軽量電動車両や ドローンをはじめとする電動おもちゃに使用されています。 

IRS2007Sにはデッドタイムとシュートスルーの保護回路が内蔵されています。自己消費電流の低さ、負のトランジェント電圧への耐性、dV/dt耐性も備えています。これらの特長を通じ、デバイスの信頼性を高めると共にシステムの部品点数を削減することができます。他の200 Vレベルシフトゲートドライバーファミリーのメンバーと同様、IRS2007Sもインフィニオンの高電圧ICテクノロジーを活用し、コンパクト、効率的、かつ高度な耐久性を持つモノリシック構造を実現しています。このファミリーからは、より小型のMLPQ 4x4 14L (VQFN-14) パッケージを使用した製品も提供しています。 

200 V レベルシフトゲートドライバーファミリーは、3相、ハーフブリッジ、およびハイサイドとローサイドのゲートドライバーICからなっており、いずれにもSilicon-on-Insulator（SOI）とJunction Isolation（JI）オプションを用意しています。これらの3相ゲートドライバーICはインフィニオンのSOIテクノロジーを活用し、業界をリードする負のVSへの耐性とレベルシフト損失の軽減と共に機能絶縁を実現しています。SOIには全体としてのコストをさらに削減し、レイアウトを簡素化し、基板サイズを小型化するため、ブートストラップ回路も内蔵しています。 

出荷状況について

EiceDRIVER IRS2007Sはすでに受注を開始しています。本製品についての詳細は IRS2007Sと www.infineon.com/200VHVICをご覧ください。