インフィニオン、高速スイッチングのための第6世代CoolSiC™ Schottkyダイオード650 Vを発表

2017/09/29 | マーケットニュース

2017年9月26日、ミュンヘン（ドイツ） 

インフィニオンテクノロジーズは、第6世代となるCoolSiC™ Schottkyダイオード650 Vを発表しました。このCoolSiCダイオードファミリの最新製品は第5世代の独自の特性をさらに発展させ、信頼性、品質、および効率の向上を実現しています。第6世代CoolSiCは600 Vと650 V CoolMOS™ 7ファミリに最適なコンパニオン製品です。これらは従来と将来の サーバ電源と PC用電源、 通信機器用電源、および PVインバータをターゲットとしています。 

第6世代CoolSiC Schottkyダイオード650 Vには新しいレイアウト、新しいセル構造、および新しいインフィニオン独自のSchottkyメタルシステムが採用されています。この結果として業界ベンチマークとなるVF（1.25 V）と、従来世代を17％下回るQc x VF性能指数（FOM）を実現しています。またこの新しい第6世代ダイオードはSiCの強力な非温度依存スイッチング動作を活用し、逆回復電荷に影響されません。 

デバイスの設計はあらゆる負荷状況において効率を改善し、システムパワー密度も高めています。第6世代CoolSiC Schottkyダイオード650 Vでは冷却の必要が軽減され、システムの信頼性が向上し、また極めて高速なスイッチングが可能です。この新しいデバイスは最高の価格性能比を持つSiCダイオード世代でもあります。 

提供予定

第6世代CoolSiC Schottkyダイオード650 Vはすでに出荷が開始されています。詳細については https://www.infineon.com/cms/jp/をご覧ください。

Information Number

INFPMM201709-070j

Press Photos

  • The new design of the CoolSiC Schottky diode 650 V G6 provides improved efficiency over all load conditions along with increased system power density. Thus, it features reduced cooling requirements, increased system reliability, and extremely fast switching.
    The new design of the CoolSiC Schottky diode 650 V G6 provides improved efficiency over all load conditions along with increased system power density. Thus, it features reduced cooling requirements, increased system reliability, and extremely fast switching.
    CoolSiC_Schottky_Diode_650V_G6_TO220

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