インフィニオン、TO-247PLUSパッケージに収めた高電力密度のディスクリートIGBTを製品化

2017年6月6日、ミュンヘン（ドイツ）

独インフィニオン テクノロジーズは本日、最大電流 75 Aでブロッキング電圧1200 VのディスクリートIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）を製品化し、製品ポートフォリオを拡大しました。これらの製品はIGBTチップと同等の定格電流のダイオードチップと共にTO-247PLUSパッケージに収めています。3ピンと4ピンの新しいTO-247PLUSパッケージは、ディスクリートパッケージの高電力密度化と高効率化に対して高まっている市場要求に対応しています。高い電力密度が必要なブロッキング電圧1200 Vの一般的なアプリケーションには、 モーター駆動回路、 ソーラーエネルギーシステム、 無停電電源装置（UPS）などがあります。このほかのアプリケーションには、バッテリー充電システムやエネルギー蓄積システムなどもあります。

今回の新しいTO-247PLUSパッケージは、通常のTO-247-3パッケージと比べて、2倍の定格電流が得られます。このPLUSパッケージは、標準的なTO-247パッケージのネジ穴を除去したので、リードフレームの面積が広くなり、より大きなIGBTチップを搭載することができます。すなわち、これまでと同様に小さい実装面積で、最大75 A、1200 VのIGBTとダイオードを一緒に封止した初めてのデバイスです。リードフレームが大きいので、TO-247PLUSパッケージの熱抵抗が小さくなり、放熱能力が向上します。

スイッチング損失を低減したい設計者に向けて、TO-247PLUSの4ピンパッケージは、ケルビンエミッタソースピンを備えています。これによって、超低インダクタンスのゲート-エミッタ間制御ループを実現でき、全スイッチング損失E _(ts) が20％以上減少します。TO-247PLUSの3ピンおよび4ピンのパッケージに封止した1200 VのIGBTは、システムの電力密度を高めるために使うことができます。さらに、並列接続して使う複数のパワーデバイスの数を減らしたり、システムの効率を高めたり、システムの熱条件を改善したりすることもできます。

供給状況

TO-247PLUS の3ピン、およびTO-247PLUSの4ピンに収めた新しい1200 VのIGBTは、量産対応可能です。この製品ポートフォリオでは、40 A、50 A、75 AのIGBTと、同等の電流定格のフリーホイールダイオードが１つのパッケージに搭載されています。詳細については、 www.infineon.com/to-247plusおよび www.infineon.com/to-247-4を参照してください。

インフィニオンテクノロジーズは、暮らしをより便利に、安全に、エコに革新する半導体分野の世界的リーダーです。明るい未来の扉を開く鍵になる半導体をつくることが、私たちの使命だと考えています。2016会計年度（9 月決算）の売上高は65億ユーロ、従業員は世界全体で約3万6,000人。インフィニオンは、ドイツではフランクフルト株式市場(ticker symbol:IFX)、米国では店頭取引市場(ticker symbol:IFNNY)のOTCQX に株式上場しています。

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