インフィニオン、800VのMOSFET「CoolMOS™ P7」シリーズ、効率と熱特性で新たなベンチマークを達成

2016/09/08 | マーケットニュース

2016年9月8日、ミュンヘン（ドイツ） 

独インフィニオンテクノロジーズは、800 VのMOSFET「CoolMOS™ P7」シリーズを発表しました。スーパージャンクション技術をベースにしたこの800 VのMOSFETシリーズは、並はずれた使いやすさと、最高クラスの性能を兼ね備えています。今回の新しいファミリーは、低電力スイッチング電源（SMPS）の用途に最適で、性能、設計しやすさ、価格対性能比が要求される市場に向けた製品です。アダプタ、LED（発光ダイオード）照明、オーディオ、産業用途、補助電源などのアプリケーションで標準的に使われるフライバック構成に特に焦点を当てています。 

800 VのCoolMOS™ P7シリーズは、効率を最大0.6％高められます。これにより、標準的なフライバックのアプリケーションでテストしたCoolMOS™ C3や競合他社の部品に比べて、MOSFETの温度が2℃〜8℃低くなります。チップの特性を最適化することにより、EossとQg、CissとCossのそれぞれの性能指数において従来製品と比較し50%の低減が可能となりました。この特性改善により、スイッチング損失が低減され、DPAK製品の最小オン抵抗を下げることが可能になり、より高い電力密度の設計を実現できます。全体として、BOM（部品表）コストを節約し、アセンブリ作業を軽減することに貢献します。 

使いやすさは、この製品ファミリーの設計における本質的な特徴です。集積されたツェナーダイオードは、ESD（静電気放電）への耐性を大幅に向上させるので、ESD関連による生産歩留まりの低下を防げます。このMOSFETは、業界をリードする3 Vのゲートしきい値電圧V GS(th)、および、V GS(th) のばらつきが最小のわずか±0.5 Vに収めたので、駆動や設計が容易です。この組み合わせにより、駆動電圧を下げ、スイッチング損失を低減できます。さらに、線形領域での意図しない動作を回避することに役立ちます。

供給状況

800 VのCoolMOS™ P7 MOSFETのファミリーは、ターゲットアプリケーションのニーズに完全に対応するために、12種類のR DS(on)と6種類のパッケージを用意しています。R DS(on)が280 mΩ、450 mΩ、1400 mΩ、4500 mΩの製品は現在、出荷可能です。さらに詳しい情報は  www.Infineon.com/p7 をご覧ください。

Information Number

INFPMM201609-080

Press Photos

  • The 800 V CoolMOS P7 series offers up to 0.6 percent efficiency gain which translates into 2 to 8 °C lower MOSFET temperature compared to similar products. The MOSFET is easy to drive and to design-in due to its industry leading V(GS)th of 3 V and the smallest VGS(th) variation of only ±0.5 V.
    The 800 V CoolMOS P7 series offers up to 0.6 percent efficiency gain which translates into 2 to 8 °C lower MOSFET temperature compared to similar products. The MOSFET is easy to drive and to design-in due to its industry leading V(GS)th of 3 V and the smallest VGS(th) variation of only ±0.5 V.
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  • The 800 V CoolMOS P7 series offers up to 0.6 percent efficiency gain which translates into 2 to 8 °C lower MOSFET temperature compared to similar products. The MOSFET is easy to drive and to design-in due to its industry leading V(GS)th of 3 V and the smallest VGS(th) variation of only ±0.5 V.
    The 800 V CoolMOS P7 series offers up to 0.6 percent efficiency gain which translates into 2 to 8 °C lower MOSFET temperature compared to similar products. The MOSFET is easy to drive and to design-in due to its industry leading V(GS)th of 3 V and the smallest VGS(th) variation of only ±0.5 V.
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  • The 800 V CoolMOS P7 series offers up to 0.6 percent efficiency gain which translates into 2 to 8 °C lower MOSFET temperature compared to similar products. The MOSFET is easy to drive and to design-in due to its industry leading V(GS)th of 3 V and the smallest VGS(th) variation of only ±0.5 V.
    The 800 V CoolMOS P7 series offers up to 0.6 percent efficiency gain which translates into 2 to 8 °C lower MOSFET temperature compared to similar products. The MOSFET is easy to drive and to design-in due to its industry leading V(GS)th of 3 V and the smallest VGS(th) variation of only ±0.5 V.
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