インフィニオン、モバイル基地局の送信機用GaNデバイスを発表、5Gセルラーインフラへの道筋をつける

2015/09/14 | マーケットニュース

2015年9月8日、ミュンヘン(ドイツ)、パリ(フランス) 

インフィニオン テクノロジーズは本日、欧州最大の無線通信の国際会議「European Microwave Week」で、窒化ガリウム(GaN)オン炭化ケイ素(SiC)のRFパワートランジスタファミリーの最初のデバイスを発表しました。業界をリードするインフィニオンの窒化ガリウムポートフォリオの一部であるこのデバイスによって、モバイル基地局メーカーは、より小型、大電力で、より柔軟な送信機を構築することができます。新しいデバイスは、現在使われているRFパワートランジスタよりも、効率が高く、電力密度が向上し、帯域幅が広いので、今日のセルラーネットワークをサポートするためのインフラ構築の経済性を向上できます。さらに、データ量が多い5G技術に移行するための道を開くので、ユーザーエクスペリエンスを高めます。 

「新しいデバイスファミリーは、次世代のRFパワートランジスタを当社のグローバルな顧客に提供するために、セルラーインフラ用途の要求に対する知識と技術革新を兼ね備えています。動作特性を大幅に向上しているので、モバイル基地局の送信機側のサイズを小型化することができます。さらに、ワイドバンドギャップ半導体技術への移行によって、セルラーインフラの継続的な発展のための道筋をつけています」とインフィニオンのRFパワープロダクトラインのバイスプレジデント兼ジェネラルマネージャーのゲルハルト ウォルフ(Gerhard Wolf)は語っています。 

新しいRFパワートランジスタは、GaN技術の特性を強化し、現在一般的に使われているLDMOSトランジスタに比べて、効率で10%、電力密度で5倍の改善を実現しています。これは、より小さな実装面積につながり、1.8 GHz〜2.2 GHzまたは2.3 GHz~2.7 GHzの周波数範囲のいずれかで動作する現在使用中の基地局送信機のパワーアンプ(PA)の電力要件に対応しています。GaN オンSiCデバイスは、今後、周波数範囲が最大6 GHzの5Gセルラー帯域もサポートします。ロードマップに基づいて、インフィニオンは、RFトランジスタ技術の長年の専門知識と最先端の生産技術で製造することができます。 

設計の柔軟性と4Gの次世代技術をサポートすることは、RFパワー用途向けGaNデバイスにさらなる利点を提供します。新しいデバイスは、LDMOSのRF帯域幅の2倍であり、PAが複数の動作周波数をサポートすることができるようになります。送信機で利用可能な瞬時帯域幅も向上するので、通信事業者は、4.5Gセルラーネットワークで指定されたデータ集約技術を使って、より多くのデータを提供することができます。 

供給状況

エンジニアリングサンプルとリファレンスデザインは、所定の秘密保持契約(NDA)の下で、お客様にご利用いただけます。GaNのRFパワートランジスタの詳細は、 www.infineon.com/rfpowerで入手できます。 

業界をリードするGaN技術のポートフォリオ 

今年の初めに、インフィニオンは、GaN関連の広範な特許ポートフォリオを説明し、米インターナショナル・レクティファイアー社の買収によって、窒化ガリウムオンシリコン(GaN/Si)、GaN/ Siのエピタキシャル成長工程、100 V~600 の技術の拡張を発表しました。エンハンスメントモードGaNオンシリコントランジスタをインフィニオンの表面実装(SMD)パッケージに封止することを目的とした戦略的提携も発表し、高効率で扱いやすい600VのGaNパワーデバイスを2社で供給できるという付加価値も提供できます。 

この結果、インフィニオンは現在、 GaN技術や製品において業界で最も包括的な範囲を整え、完全なシステムノウハウをお客様に提供しています。これによって、最高クラスの製造能力、すなわち、インフィニオンのSMDパッケージに封止したノーマリオフGaNパワーデバイスの量産と2社供給を実現しています。LDMOSとGaN技術を主導することで、インフィニオンは、顧客の要求に基づいた最適なソリューションを提供するための良い体制になっています。 

European Microwave Week (EuMW)におけるインフィニオン

インフィニオンは、2015年9月6日~11日にフランスのパリで開催された EuMWにおいて、ホールTernes、ブースC309でRFパワートランジスタ技術を展示しました。

インフィニオンについて

インフィニオンテクノロジーズは、暮らしをより便利に、安全に、エコに革新する半導体分野の世界的リーダーです。明るい未来の扉を開く鍵になる半導体をつくることが、私たちの使命だと考えています。2014会計年度(9 月決算)の売上高は43億ユーロ、従業員は世界全体で約2万9,800人。2015年1月に、売上高11億米ドル(6月29日を期末とする2014会計年度)、従業員約4,200人の米国インターナショナル・レクティファイアーを買収しました。

インフィニオンは、ドイツではフランクフルト株式市場(ticker symbol:IFX)、米国では店頭取引市場(ticker symbol:IFNNY)のOTCQX に株式上場しています。 

日本法人サイト: http://www.infineon.com/jp

本社サイト: http://www.infineon.com (英語)

Information Number

INFPMM201509-077j

Press Photos

  • Infineon’s new RF power transistors leverage the performance of GaN technology to achieve ten percent higher efficiency and five times the power density of the LDMOS transistors commonly used today.
    Infineon’s new RF power transistors leverage the performance of GaN technology to achieve ten percent higher efficiency and five times the power density of the LDMOS transistors commonly used today.
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