インフィニオン、新型TO-Leadlessパッケージを提供開始 ― 最大300Aの大電流アプリケーションに対応

2013年5月14日、ノイビーベルク（ドイツ）

独インフィニオン テクノロジーズは本日、パッケージの大幅な小型化と抵抗の低減により電磁干渉（EMI）特性も改善した、新型TO-Leadlessパッケージの提供を開始しました。本製品には、最 新世代の「OptiMOS™ MOSFET」が採用されており、電動フォークリフト、超小型モビリティ、eFuse、PoL（Point of Load）、通信システムなど、高 い電力と信頼性が要求されるアプリケーションに対応します。

新型TO-Leadlessパッケージは、最大300Aの大電流に対応できるよう設計されています。パッケージ抵抗が低いことから、すべての電圧クラスでオン抵抗（RDS(on)）を 最小限に抑えることができます。D2PAK 7pinとの比較では、60%の小型化が実現しており、極めてコンパクトな設計が可能です。TO-Leadlessなら、30%も実装面積削減されるため、フ ォークリフト・アプリケーションなどでは、必要な基板面積が少なくてすみます。また、高さも50%削減されていることから、ラックサーバやブレードサーバなど、小型アプリケーションでは大きなメリットとなります。 さらに、パッケージの寄生インダクタンスが低く、EMIが向上します。

インフィニオンのリチャード クンチッチ（Richard Kuncic）（低電圧電力変換担当シニアディレクタ）は、次のように述べています。「TO-Leadlessパッケージにより、イ ンフィニオンは、0.75mΩの60V MOSFETの提供を開始した初の半導体企業となります。本製品によって、フォークリフト アプリケーションでは、並列MOSFETの数が削減され、電力密度が向上します。 このパッケージは、最高水準の効率性・信頼性が要求されるハイパワーアプリケーションで、お客様に多大なメリットをもたらします。」

さらに、TO-Leadlessは、はんだの接触面積が50%大きいことから、電流密度が低くなります。これによって、高電流・高温時のエレクトロマイグレーションを回避することができます。他 のリードレス パッケージとは異なり、TO-Leadlessは、スズメッキの溝付き端子により、半田の目視検査が可能です。

新型パッケージは、最高の効率、優れた信頼性、最高のEMI特性、そして優れた放熱性を求められるハイパワーアプリケーションにとって最適な選択肢です。

供給状況
TO-Leadlessは現在、30V（最大値0.4mΩ）、60V（最大値0.75mΩ）、100V（最大値2.0mΩ）、150V（最大値5.9mΩ）で サンプル出荷を開始しています。量産出荷は、2013年第3四半期の開始を予定しています。

インフィニオンの新型TO-Leadlessパッケージ ファミリーについての詳細は、下記URLをご参照ください。
www.infineon.com/toll

インフィニオン テクノロジーズ（Infineon Technologies AG）は、ドイツのノイビーベルクに本社を置き、 エネルギー効率、 モビリティ、 セキュリティという現代社会が抱える3つの大きな課題に対応する半導体およびシステムソリューションを提供しています。2 012会計年度（9 月決算）の売上高は39億ユーロ、従業員は世界全体で約2万6,700人です。インフィニオンは、ドイツではフランクフルト株式市場、米国では店頭取引市場のOTCQX に株式上場しています。

インフィニオンについての情報は次のURLをご参照ください。
本社サイト： http://www.infineon.com
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