インフィニオン、「CoolMOS™ C7」を提供開始: スーパージャンクション技術の大幅な進化により世界最小のオン抵抗（RDS(on)）が実現、ハードスイッチング アプリケーション向けに供給開始

2013年5月6日、ノイビーベルク（ドイツ）

独インフィニオン テクノロジーズは、最新の650VスーパージャンクションMOSFET技術を採用した「CoolMOS™ C7」によって、高耐圧製品ポートフォリオを拡張します。新登場の「C7」 製品ファミリーは、すべての標準パッケージでクラス最高のオン抵抗（RDS(on)）を実現するほか、スイッチング損失が低く、最大負荷時の効率を改善することができます。「CoolMOS™ C7」は、連 続導通モード力率改善回路（CCM PFC）、トゥートランジスタ フォワード（TTF）、ソーラーブーストなど、ハードスイッチング トポロジ向けに最適化された製品です。対 象とする主なアプリケーションとしては、太陽光発電、サーバー、基地局、無停電電源（UPS）があります。このほか、650Vの降伏電圧により、安 全性に対するマージンを求められるアプリケーションにも適しています。

インフィニオンのヤン ウィレム レイナーツ（Jan-Willem Reynaerts）（High Power Voltage Conversion製品部門責任者）は、次 のように述べています。「『C7』シリーズは、高品質なスーパージャンクション技術『CoolMOS™』の12年間に及ぶイノベーションの歴史を踏襲するものであり、これに伴い、ハ イエンド電力変換分野でのインフィニオンのリーダーシップは、より強固なものになります。『CoolMOS™ C7』のクラス最高の性能指数（オン抵抗×EOSS）により、お客様は、電 力密度と効率性をかつてない形で両立させた、新世代の電力変換システムの開発が可能となります。

「C7」シリーズは、TO-247パッケージで19mΩ、TO-220パッケージとD2PAKパッケージで45mΩという、世界最小のオン抵抗を誇ります。「C7」の高速スイッチング性能によって、1 00kHzを超えるスイッチング周波数での動作と、サーバーのPFC段でのTitaniumレベルの効率性を初めて両立できるようになります。この結果、受動部品の面積要件が軽減され、電力密度が高まります。

さらに、出力キャパシタンスの蓄積エネルギー（EOSS）を削減し、ゲート電荷（Qg）を抑えることで、軽負荷状況下での効率性というメリットも得られます。

「C7」の持つクラス最高のパフォーマンスと、シリコンカーバイド（SiC）ショットキーダイオードの新製品であるインフィニオンの第5世代「ThinQ!™」シリーズ、制御ICの「ICE2」/「 ICE3」を組み合わせることで、CCM PFC回路では、他の追随を許さないパフォーマンスが得られます。

供給状況
650V「CoolMOS™ C7」製品は、サンプル出荷を開始しています。量産出荷は2013年6月の開始を予定しています。

インフィニオンの新型650V「CoolMOS™ C7」ファミリーについての詳細は、下記URLをご参照ください。
www.infineon.com/c7

インフィニオン テクノロジーズ（Infineon Technologies AG）は、ドイツのノイビーベルクに本社を置き、 エネルギー効率、 モビリティ、 セキュリティという現代社会が抱える3つの大きな課題に対応する半導体およびシステムソリューションを提供しています。2 012会計年度（9 月決算）の売上高は39億ユーロ、従業員は世界全体で約2万6,700人です。インフィニオンは、ドイツではフランクフルト株式市場、米国では店頭取引市場のOTCQX に株式上場しています。

インフィニオンについての情報は次のURLをご参照ください。
本社サイト： http://www.infineon.com
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