インフィニオン、画期的なIC埋め込みパッケージ技術を用いた新世代DrMOS「DrBlade」を発表

2013年3月18日、ノイビーベルク（ドイツ）、カリフォルニア州ロングビーチ（米国）

独インフィニオン テクノロジーズは3月18日、「APEC 2013」（Applied Power Electronics Conference & Exposition 2013） において、画期的なIC埋め込みパッケージ技術を用いて実装された、初の内蔵DC/DCドライバ/MOSFET VR電力段の「DrBlade」を発表しました。この「DrBlade」は、最 新世代の低電圧DC/DCドライバ技術と「OptiMOS™」MOSFETデバイスで構成されます。このMOSFET技術は、業界最小の面積抵抗とアプリケーション別に最適化された性能指数（FoM）を 特徴としており、ブレードサーバ/ラックサーバ、PCマザーボード、ノートPC、ゲーム機など、コンピューティング用途や通信用途のDC/DC電圧レギュレーション システムで最高の効率性を発揮します。

最新の「Blade」パッケージ技術

インフィニオンの画期的な「Blade」パッケージ技術は、IC埋め込みのコンセプトをベースとしています。そこでは、ワ イヤボンディングやクリップボンディングなどの標準的なパッケージ技術や一般的な成形技術の代わりに、ガルバニック工程が使用されています。また、ダイはラミネートフォイルによって保護されます。この結果、パ ッケージの実装面積、パッケージ抵抗、インダクタンスを大幅に抑えつつ、熱抵抗を抑えることが可能です。

インフィニオンのリチャード クンチッチ（Richard Kuncic）（低電圧変換担当シニアディレクター）は、次のように述べています。「インフィニオンは、『Blade』技 術によって内蔵ドライバとMOSFETハーフブリッジを提供する初の半導体企業です。負荷範囲全体でサーバ アプリケーションの効率化を実現する『DrBlade』によって、パ ワー半導体分野のリーダーとしての当社の役割が今回も実証されています」

省面積と効率化

 
「DrBlade」パッケージは、面積5×5mm、0.5mmの低背設計を採用しており、コンピューティング システムの電力密度向上と省面積の需要に対応します。ピンの割り当てが最適化されており、 シンプルなPCBレイアウトが可能です。この最新のIC埋め込み技術と、インフィニオンの「OptiMOS」MOSFETを組み合わせることで、「DrBlade」は、低電圧部門の電圧レギュレータにとって、最 適なソリューションとなっています。

価格と出荷予定

「DrBlade」は、すでにサンプル出荷を開始しており、量産出荷は2013年第2四半期の開始を予定しています。

インフィニオンの新型「Blade」ファミリーについての詳細は、下記URLをご参照ください。
www.infineon.com/drblade

インフィニオン テクノロジーズ（Infineon Technologies AG）は、ドイツのノイビーベルクに本社を置き、エネルギー効率、モビリティ、セ キュリティという現代社会が抱える3つの大きな課題に対応する半導体およびシステムソリューションを提供しています。2012会計年度（9 月決算）の売上高は39億ユーロ、従 業員は世界全体で約2万6,700人です。インフィニオンは、ドイツではフランクフルト株式市場（ticker symbol: IFX）、米国では店頭取引市場のOTCQX（ticker symbol: IFNNY） に株式上場しています。

インフィニオンについての情報は次のURLをご参照ください。
本社サイト： http://www.infineon.com
日本法人サイト： http://www.infineon.com/jp