インフィニオン、第5世代「thinQ!™」SiCショットキー バリア ダイオードを提供開始、魅力的な価格性能比で業界トップの効率性を実現

ノイビーベルク（ドイツ）

独インフィニオン テクノロジーズは本日、第5世代の650V「thinQ!™」ショットキー バリアダイオードの提供開始により、シリコンカーバイド（SiC）ポ ートフォリオを拡張することを発表しました。

第3世代からすでに導入されているインフィニオン独自の拡散はんだ付けプロセスに加えて、今回からは、新登場のよりコンパクトな設計と最先端の薄ウェハ技術が採用されており、イ ンフィニオンのSiCダイオードの旧ファミリとの比較では、熱特性が向上し、性能指数（Qc×Vf）は30%抑えられています。その結果、一連の製品では、「thinQ!™」のすべての従来製品に比べ、あ らゆる負荷状況において、PFC、ブースト回路の効率を改善することができます。第5世代製品は、ハイエンドのサーバ／通信用スイッチモード電源（SMPS）、PCシルバーボックス／LED照明、ソ ーラーインバータ、無停電電源（UPS）での使用を想定しています。新世代製品を使用することで、こうしたアプリケーションでは、効率の改善だけでなく、EMIの低減、システムの信頼性向上、ク ーリングシステムの簡素化によるコスト削減と小型化の恩恵も受けることができます。

インフィニオンのヤン ウィレム レイナーツ（Jan-Willem Reynaerts）（高電圧電力変換製品部門責任者）は、次のように述べています。「2001年に初のSiCショットキー ダイオードを発表してから、インフィニオンはこれまで、ポートフォリオを大幅に改良、拡張してきました。SiCダイオードは最も注力する製品であり、グリーン エネルギーの未来を形成するものです。第 5世代製品では、これまでの世代と比べてシステムの効率と電力密度を大幅に向上しつつも、魅力的な価格性能比が得られています」

第3世代の低い容量性電荷（Qc）値と第2世代の順方向電圧（Vf）水準が組み合わさることで、第5世代では、PFC回路で最高の効率水準を実現できます。降伏電圧水準については、第2世代・第 3世代の600Vに比べ、新ファミリでは650Vと高くなっており、これは「CoolMOS™」技術の最新版と同じです。これによって、ソーラーインバータなどのアプリケーションや、性 能を要求されるSMPS環境では、安全性に対するマージンを確保できます。第5世代では、サージ電流に対する耐性がこれまで以上に高くなっています。また、高 定格電流製品とTO-247やThinPAKの新たなパッケージの採用により、より広範なポートフォリオとなっています。

入手状況
本製品は現在、サンプル出荷は開始しています。

インフィニオンの第5世代650V「thinQ!™」SiCショットキー・バリア・ダイオードについての詳細は、下記URLをご参照ください。

www.infineon.com/sic-gen5

インフィニオン テクノロジーズ（Infineon Technologies AG）は、ドイツのノイビーベルクに本社を置き、 エネルギー効率、 モビリティ、 セキュリティという現代社会が抱える3つの大きな課題に対応する半導体およびシステムソリューションを提供しています。2011会計年度（9月決算）の 売上高は40億ユーロ、従業員は世界全体で約2万6,000人です。インフィニオンは、ドイツではフランクフルト株式市場、米国では店頭取引市場のOTCQXに株式上場しています。

インフィニオンについての情報は次のURLをご参照ください。
本社サイト： http://www.infineon.com
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