インフィニオン、高電力密度ソリューションを実現できるよう設計されたHVパワーMOSFET向けの新型ThinPAK 8x8鉛フリーSMDパッケージを発売

ノイビーベルク（ドイツ）

独インフィニオンテクノロジーズは本日、HV MOSFET向けの新型鉛フリーSMDパッケージ、ThinPAK 8x8を発売しました。新型パッケージは、面積がわずか64mm2（ D2PAKは150mm2）と大幅な省面積化を実現しており、高さもわずか1mm（D2PAKは4.4mm）と超低プロファイルです。この驚異的に小型化されたパッケージと、業界基準の低寄生インダクタンスは、こ れまでにない効率的な方法で高電力密度のスイッチング電源の小型を実現します。

高さ1mmの新型表面実装パッケージには、わずか8×8mmの鉛フリー・パッケージに業界標準TO-220向けチップが収められており、裏面に露出した金属ドレインパッドにより、素 子内に発生した熱を効果的に放熱できます。設計者はこの超低プロファイル・パッケージにより電源のスリム化を可能とし、今日の市場にマッチしたコンパクトでスタイリッシュな新製品を実現できます。こ の新たなスタンダードは、インフィニオンとSTマイクロエレクトロニクスの2社によって提供され、両社は、この画期的なパッケージを使用してMOSFET（インフィニオンはThinPAK 8x8、S TマイクロエレクトロニクスはPowerFLAT™ 8x8 HVという名称）を発売するため、顧客にとっては2社による高品質な供給体制となります。

インフィニオンのヤン＝ウィレム・レイナーツ（Jan-Willem Reynaerts）（HVMOSパワーディスクリート担当プロダクトラインマネージャ）は、次のように述べています。「 この種のパッケージは、HV MOSFET向けの鉛フリーSMDパッケージで市場の新たな基準を確立するものであり、パートナーであるSTマイクロエレクトロニクスからも本日発売されます。C oolMOS™に代表されるスーパージャンクション・テクノロジーは、高速で効率的なスイッチングで高度な性能レベルに到達しており、従来型の標準的なスルーホール・パッケージは、一 段上のレベルのエネルギー効率と電力密度を実現するという点で、既に飽和した技術要素となりつつあります」

ThinPAK 8x8パッケージは、2nHという超低ソースインダクタンスで（D2PAKは6nH）、分離型クリーンゲート信号へのドライバソース接続と、D 2PAKパッケージと同等の熱性能を特徴としています。その結果、ThinPAK 8x8パッケージはPower MOSFETのスイッチングを迅速かつ効率的に行うことができ、ス イッチング動作とEMIの点で処理が簡単です。

インフィニオンは、初めに3種類の600V CoolMOS™、199mOhm（IPL60R199CP）、299mOhm（IPL60R299CP）、385mOhm（IPL60R385CP）、を 発売します。

出荷状況とパッケージングについて
ThinPAK 8x8パッケージの新型デバイスの認定サンプルは現在出荷可能です。

ThinPAK 8x8パッケージに関する詳細とインフィニオンのMOSFETポートフォリオに関する詳細は、以下のURLをご参照ください。
www.infineon.com/thinpak8x8

インフィニオンテクノロジーズ（Infineon Technologies AG）は、ドイツのノイビーベルクに本社を置き、エネルギー効率、コミュニケーションズ、セ キュリティという現代社会が抱える3つの大きな課題に対応する半導体およびシステムソリューションを提供しています。2009会計年度（9月決算）の売上高は30.3億ユーロ、従 業員は世界全体で約2万5,650人でした。インフィニオンは世界的に事業を展開しており、米国ではカリフォルニア州ミルピタス、アジア太平洋地域ではシンガポール、そ して日本では東京の各子会社を拠点として活動しています。インフィニオンは、ドイツではフランクフルト株式市場、米国では店頭取引市場のOTCQXに株式上場されています。
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