インフィニオンがスイッチング電源向けに3種類のパワー半導体新系列を発表

2003/05/20 | マーケットニュース

独インフィニオンテクノロジーズは、1)高電圧パワーMOSFET、2)スイッチング電源制御IC、3)IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)の新製品を発表しました。低い消費電力、高い効率、拡 充された機能を提供するこれらのパワー半導体は、費用効果と効率の高い、洗練された電源装置の開発を可能にします。インフィニオンは、独ニュルンベルグで開催される電源製品の展示会「PCIM 2003」( 会期: 2003年5月20~22日)に、これらの新製品を出展します。

先端的な電源アプリケーションでは、消費電力のさらなる低減、発熱を抑えるためのさらなる高効率化、省電力化、バッテリ寿命延長などが要請されています。しかも、装 置はさらなる小型化が求められています。このため、電力密度が高い、小型で高信頼の電子デバイスが必要となります。インフィニオンの今回の新製品は、1)パワーMOSFET「CoolMOS C3」フ ァミリの500V系列、2)スイッチング電源制御ICの新系列「F3」ファミリ、3)IGBTの新系列「HighSpeed2」ファミリです。これらを使えば、小型で高密度かつ高効率の電源設計が可能になります。

新しい500V系列パワーMOSFETは、業界標準を設定したインフィニオンの「CoolMOS」ファミリをさらに拡充するものです。在来の500V系列パワーMOSFETと比べて、同 じパッケージを使用しながら、性能が大幅に向上しています。インフィニオンにとって第三世代の固定周波数スイッチング電源制御ICとなる「F3」ファミリは、待機時電力が超低レベルに抑えられ、革 新的なスイッチング電源の設計を可能にします。IGBT「HighSpeed2」ファミリは、在来のIGBTとMOSFETの長所を組み合わせたもので、同じく省スペース化と低コスト化に寄与します。

インフィニオンのラインハルト・プロス(自動車&産業グループ最高責任者)は、「生活圏と産業界のあらゆる領域でインテリジェントなエネルギー管理を実現する斬新なコンセプトが、今 世紀のグローバルな挑戦課題の一つになっています。パワーエレクトロニクスがこの方面で中核的な役割を果たすとみなされています。パワー半導体分野でインフィニオンは市場リーダーの一角を占め、技 術的に約15ヵ月先行しています。当社のインテリジェントな半導体コンセプトと革新的なパワー半導体の新ファミリを利用すれば、小型で省電力、つまり、環境にやさしい電源装置の設計が可能になります」と、語 りました。

パワーMOSFET「CoolMOS C3」ファミリの500V系列
インフィニオンは、高電圧パワーMOSFET「CoolMOS」の第三世代「CoolMOS C3」ファミリに、500V系列を追加しました。単位面積あたりのオン抵抗(RDSon_A)が 在来MOSFETの3分の1に抑えられているので、アプリケーションの電力損失が低減し、効率が向上します。新しい500V系列の製品を使えば、スイッチング電源をさらに小型化でき、大幅な省電力化がはかれます。 こうした利点は特に、蛍光灯の電子バラスト、ノートPCや液晶ディスプレイのACアダプタ、サーバやデスクトップPCおよび民生用電子機器の小型スイッチング電源などに有利です。実例をあげると、ノ ートPC用の120Wアダプタに使用した場合、標準技術の500VパワーMOSFET(TO-220パッケージのクラス最高製品)の電力損失は5.4Wですが、この新しい500V系列「CoolMOS C3」( TO-220パッケージのクラス最高製品)では3Wにすぎず、45%低減されます。その結果、例えば、ノートPC用アダプタの効率は90%から92%へと2%改善されます。

スイッチング電源制御IC「F3」ファミリ
「F3」ファミリは、インフィニオンにとって第三世代の固定周波数スイッチング電源制御ICです。アクティブ・バースト・モード、内蔵の起動電流源、短時間の過負荷(例えば、V TRやDVDプレーヤで内蔵モータ起動時に発生する過負荷)に対する保護回路など、豊富な保護および省電力機能を備えており、さらに、エラー保護機能も拡充されています。アクティブ・バースト・モ ードと内蔵の起動電流源により、待機時電力は、アプリケーションに応じて100mWにまで低減されます。「F3」ファミリは、小型で軽量かつ費用効果の高い電源を必要とするアプリケーションに最適であり、す ぐれた効率と高い信頼性を提供します。用途として、液晶モニタ、ノートPCやプリンタのACアダプタ、DVDプレーヤ、STB(セットトップ・ボックス)、産業機器の補助電源などがあげられます。「F3」製 品を採用することにより、電子機器の待機時電力低減に関する欧州連合(EU)の新法令に適合する電源の開発期間を短縮することができます。

高速で省スペースのIGBT「HighSpeed2」ファミリ
IGBTの新ファミリ「HighSpeed2」は、高電圧MOSFET(1000Vないしそれ以上)を安価に代替できる製品です。非常に省スペースのパッケージ(DPAK)に格納された新IGBTは、 システムレベルで約15%のコスト低減をもたらします。新IGBTをスイッチング電源に採用すると、リニア型ないし受動型電源と比べて、効率を最大30%高められます。新IGBTは、蛍光灯の電子バラスト、産 業用および民生用の小型スイッチング電源、CRTモニタの偏向回路などに最適です。

供給状況
500V系列「CoolMOS C3」、「F3」コントローラ、「HighSpeed2」IGBTの3種類の新製品は、量産供給可能です。「F3」コントローラは、1 万個購入時の単価が約0.57ユーロになります。「HighSpeed2」IGBTは、1200V/1A(1000V/2ΩのMOSFETに相当)のDPAKタイプの5万個購入時の単価が0.40ユーロ以下です。 500V系列「CoolMOS C3」は、例えば、TO-220パッケージ入りの0.28Ω製品の5万個購入時の単価が1ユーロ以下となります。

●インフィニオンのパワー半導体に関する詳細は下記ウェブサイトをご参照ください:
http://www.infineon.com/igbt
http://www.infineon.com/coolmos 
http://www.infineon.com/pwm
http://www.infineon.com/power 

インフィニオンについて

インフィニオンテクノロジーズ(Infineon Technologies AG)は、ドイツのミュンヘンに本社を置き、自 動車および産業分野や有線通信市場のアプリケーションへ向けた半導体およびシステムソリューション、セキュア・モバイル・ソリューション、メモリ製品などを供給しています。米国ではカリフォルニア州サンノゼ、ア ジア太平洋地域ではシンガポール、そして日本では東京を拠点として活動しています。2003会計年度(9月決算)の売上高は61億5,000万ユーロ、2003年9月末の従業員数は約32,300名でした。イ ンフィニオンは、フランクフルトとニューヨークの証券取引所に株式上場されています。

Information Number

INFAI200305.076

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