インフィニオンが業界最小の512MビットDDR2メモリをインテル社に納入

2003/09/17 | マーケットニュース

独インフィニオンテクノロジーズは、インテル・デベロッパ・フォーラムにおいて、インフィニオン初の512MビットDDR2(第2世代ダブルデータレート)SDRAMの立ち上げに成功し、現在、イ ンテル社により、インテル社の次世代デュアル・プロセッサ・サーバ用チップセット(コード名「Lindenhurst」)を使って評価が行われていると発表しました。この512Mビット DDR2 SDRAMデバイス(構成×8ビット)は、JEDEC(米国電子部品標準化団体)のDDR仕様に準拠しています。

インフィニオンのDDRデバイスは、サーバ、PC、ワークステーションなどの次世代高性能メインメモリ用に設計されています。新しい512MビットDDR2デバイスは、イ ンフィニオンの先進的な110nm CMOSプロセス技術を用いて生産され、この記憶容量の製品としては業界最小の消費電力とチップサイズを実現しています。

インフィニオン初のDDR2デバイスは、ピンあたりのデータ速度400Mbpsおよび533Mbpsで動作します。2004年以降のDDR2メインメモリ適用システム向けとして、よ り高速で動作するデバイスとメモリモジュールをすでに準備中です。インフィニオンのDDR2ロードマップでは、2004年に、1Gビット版と256Mビット版のデバイスも供給する予定です。

インテル社シニア・フェローのピート・マックウィリアムス氏は、「インフィニオンのDDR2メモリ技術の採用で、インテルのデスクトップ、サーバ、モバイル・プラットフォームは、2004年には、さ らなる高性能化、省電力化、大容量化を達成できるでしょう。数年以内に、DDR2技術は基幹的なメモリ・アーキテクチャになると考えます」と、語りました。

インフィニオンテクノロジーズノースアメリカ社メモリ製品担当バイスプレジデントのベルント・リーンハルトは、「DDR2-533をベースとしたメモリモジュールは、毎 秒4.3Gバイトのデータ速度を達成し、業界で主流の標準メモリ・アーキテクチャを用いながら、システムに目覚ましい性能向上をもたらすでしょう。300mmウェハによる効率的量産を先導するメモリ・サ プライヤとしてインフィニオンは、コンピュータ・ユーザに新水準システム設計のための先端技術を提供するインテル社の活動に参加することを誇りに思います」と、述べました。

インフィニオンのJEDEC準拠512Mビット DDR2チップは、4バンクDRAMとして設計され、構成×4ビット、×8ビット、×16ビットの製品を供給する予定です。このデバイスは、FBGA( 微細ピッチ・ボール・グリッド・アレイ)パッケージに格納されています。新メモリのその他の特長として、4ビットのプリフェッチ、差動ストローブ、可変データ出力インピーダンス調整などがあります。

インフィニオンについて

インフィニオンテクノロジーズ(Infineon Technologies AG)は、ドイツのミュンヘンに本社を置き、自 動車および産業分野や有線通信市場のアプリケーションへ向けた半導体およびシステムソリューション、セキュア・モバイル・ソリューション、メモリ製品などを供給しています。米国ではカリフォルニア州サンノゼ、ア ジア太平洋地域ではシンガポール、そして日本では東京を拠点として活動しています。2003会計年度(9月決算)の売上高は61億5,000万ユーロ、2003年9月末の従業員数は約32,300名でした。イ ンフィニオンは、フランクフルトとニューヨークの証券取引所に株式上場されています。

Information Number

INFMP200309-121

Press Photos

  • The world´s smallest 512-Mbit DDR2 Memory Component by Infineon Technologies boots successfully with Intel´s new "Lindenhurst" Dual  Processor Server Chipset. New 512 Mb DDR2 components are fabricated using Infineon´s advanced 110 nanometer CMOS process technology.
    The world´s smallest 512-Mbit DDR2 Memory Component by Infineon Technologies boots successfully with Intel´s new "Lindenhurst" Dual Processor Server Chipset. New 512 Mb DDR2 components are fabricated using Infineon´s advanced 110 nanometer CMOS process technology.
    512-Mbit DDR2

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