インフィニオンが照明装置の消費電力を節減する新型パワー半導体「LightMOS-IGBT」を発表

2003/10/20 | マーケットニュース

独インフィニオンテクノロジーズは、IGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）製品ファミリの新製品を発表しました。新製品「LightMOS-IGBT」は、蛍光灯の電子安定器（ELB）に 通常使用されているMOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）の、コスト効率の優れた代替手段となります。1対1の置き換えで同じ機能が得られ、価格は約15パーセント安価になります。こ の電子安定器を使えば、在来の磁気安定器と比べ、照明装置の消費電力を年間最大25パーセント低減できます。従って、世界中の人工照明のエネルギー消費を大幅に低減する可能性を秘めています。

インフィニオンは11月4日～7日に米国カリフォルニア州ロングビーチで開催される見本市「パワーシステムズ・ワールド2003」（ブース番号822）に、この新製品を出品します。

「LightMOS-IGBT」は、電子安定器（インバータ）に使用される600V耐圧のパワースイッチで、スイッチング周波数範囲40～60kHzに最適化されています。

「LightMOS-IGBT」は、業界初のモノリシック集積化された強力な転流ダイオードを備え、MOSFETの低い電力損失とIGBTの低い温度依存性の両方の特長を兼ね備えています。その結果、 照明用安定器の設計がより簡素化され、迅速かつコスト効率的になります。MOSFETでは熱暴走が重大な問題となりますが、そのリスクが少ないIGBTの温度特性により、信頼性が向上します。加えて、「 LightMOS-IGBT」では、インフィニオンの「FieldStop」技術とトレンチセル技術を組み合わせた「TrenchStop」技術を採用した結果、オ ン損失とスイッチング損失が極めて低く抑えられており、定格の限界いっぱいまで迫る使い方ができます。

「TrenchStop」技術の長所として、極めて堅牢で短絡に強いこと、高い信頼性、低い電磁波障害（EMI）などがあげられます。パワーデバイス内部の「FieldStop」構造により、ス イッチのターンオフ時に発生するテール電流が大幅に低減されるとともに、トレンチセルが、極めて低い飽和電圧により、オン損失を最小限に抑えます。結果として、発熱が大幅に抑制されます。

「LightMOS-IGBT」は、省スペースのD-PAKおよびD2-PAKパッケージで提供され、デバイス・レベルで約15パーセントのコスト低減になります。D-PAK入りの「 LightMOS」デバイスは、オン抵抗1.5～3ΩのMOSFETと置き換えることができます。「LightMOS」製品は、TO-220およびTO-220-Fullpackパッケージでも提供され、これは、 適当な冷却を行えば、オン抵抗1ΩのMOSFETと置き換えることができます。

「LightMOS-IGBT」は現在サンプル出荷中で、量産供給は2003年11月央に開始される予定です。5万個購入時の単価は、600V、3A、D-PAKパッケージの製品が0.27ドル（ 0.25ユーロ以下）となります。

「IGBT」に関する詳細情報は下記ウェブサイトをご覧ください：
http://www.infineon.com/igbt

インフィニオンについて

インフィニオンテクノロジーズ（Infineon Technologies AG）は、ドイツのミュンヘンに本社を置き、自 動車および産業分野や有線通信市場のアプリケーションへ向けた半導体およびシステムソリューション、セキュア・モバイル・ソリューション、メモリ製品などを供給しています。米国ではカリフォルニア州サンノゼ、ア ジア太平洋地域ではシンガポール、そして日本では東京を拠点として活動しています。2003会計年度（9月決算）の売上高は61億5,000万ユーロ、2003年9月末の従業員数は約32,300名でした。イ ンフィニオンは、フランクフルトとニューヨークの証券取引所に株式上場されています。

Information Number

INFAI200310.002

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  • LightMOS(tm) from Infineon helps to reduce Power Demand for Lighting by up to 25 Percent
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  • LightMOS(tm) from Infineon helps to reduce Power Demand for Lighting by up to 25 Percent Photo: OSRAM GmbH
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