インフィニオンのパワー半導体が2001年度ドイツ・イノベーション賞を受賞

独インフィニオンテクノロジーズは、同社の高電圧パワーMOSFET「CoolMOS」とIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）の2種のパワー半導体デバイスが、ドイツの商工振興機関「ライン・マ イン・ドイツ経済クラブ」の2001年度最優秀技術革新製品として、イノベーション賞を授与されることになったと発表しました。

このドイツ・イノベーション賞は、「大企業」、「中堅企業」、「新進企業」の3つのカテゴリに分類した中から毎年すぐれた技術革新製品を表彰しているもので、今回で22年目となります。イ ンフィニオンは「大企業」のカテゴリとして選ばれました。審査員は実業界や科学技術分野の専門家32人で構成されています。「ライン・マイン・ドイツ経済クラブ」とドイツの週刊誌「ビルトシャフトボッヘ」が コンペの募集を行いました。

インフィニオンの高電圧パワーMOSFET「CoolMOS」は、PC、ノートパソコン、携帯機器バッテリチャージャなどに使用される電源回路に、まったく新しいアプローチを可能にします。また、イ ンフィニオンのIGBT製品ファミリは、家電製品、エアコン、産業用設備に使用されるモータ駆動回路に、新しいコンセプトを可能にします。今回受賞したこの2つのパワー半導体製品は、電 気製品の電流を精確にコントロールするものです。低い内部抵抗とすぐれたスイッチング特性により、熱損失が非常に低く抑えられます。インフィニオンのパワー半導体デバイスを採用した家電製品は、最大30％の 省エネにつながります。

インフィニオンテクノロジーズのラインハルト・プロス（自動車＆産業グループ上級副社長兼ゼネラルマネージャ）は、「今回の受賞は当社のパワー半導体分野での市場リーダーの役割を認知したもので、光 栄に思います。当社は今後ともこの方面のサポートを継続し、電源回路やモータ駆動回路へ向けて、低騒音化、高出力化、高信頼化の面でさらに大きく進歩した、コ ンパクトでより小型のデザインを可能にする新世代のパワー半導体デバイスを開発していきます」と、語りました。

今回のイノベーション賞の授与式は、2002年1月19日にフランクフルトのオールド・オペラ会場で催される祝賀行事の中で行われます。インフィニオンのウルリッヒ・シ ューマッハ社長兼最高経営責任者（CEO）が出席し、ドイツ連邦教育研究省の女性大臣エーデルガルト・ブルマーンから賞を授かります。2001年度の選考の「大企業」カテゴリのスポンサとなったのはユニシス・ド イッチュラント社です。今回受賞したパワー半導体デバイスは、ドイツ連邦教育研究省の援助を受けて開発されました。第22回イノベーション賞に関する詳しい情報（ドイツ語でのみ掲載）については、次 のURLをご参照ください：
http://www.wirtschaftsclub-rhein-main.de

インフィニオンテクノロジーズ（Infineon Technologies AG）は、ドイツのミュンヘンに本社を置き、自 動車および産業分野や有線通信市場のアプリケーションへ向けた半導体およびシステムソリューション、セキュア・モバイル・ソリューション、メモリ製品などを供給しています。米国ではカリフォルニア州サンノゼ、ア ジア太平洋地域ではシンガポール、そして日本では東京を拠点として活動しています。2003会計年度（9月決算）の売上高は61億5,000万ユーロ、2003年9月末の従業員数は約32,300名でした。イ ンフィニオンは、フランクフルトとニューヨークの証券取引所に株式上場されています。