インフィニオンテクノロジーズがネットワーキング市場向けにRLDRAMを発表

独インフィニオンテクノロジーズは本日、急成長しているネットワーキング市場へ向けて、新型DRAMを発表しました。ネ ットワーク交換や高速キャッシュで特に求められているのは、高い記憶密度、広い帯域幅、高速でランダムなSRAM的アクセスという3つ特長です。こうした性能を実現したのが、新製品のRLDRAM（レデュースト・ レイテンシDRAM）です。

RLDRAMは、クロック周波数300MHzで動作する、DDR（ダブルデータレート）インタフェースを採用した高性能SDRAMです。最初の製品として発表したのは、構 成8M×32および16M×16の256Mビット・デバイスです。RLDRAMは8つの内部メモリバンクを備え、これらのメモリバンクへ逐次アクセスを行うことにより、最 大19.2Gbpsのデータ帯域幅を提供します。個々のバンク内では、ランダムアクセスが行えます。

RLDRAMは、新しい内部メモリアーキテクチャを採用することにより、最小ロウサイクルタイム25nsという、超高速のランダムアクセスを実現します。同じ条件で比較すると、標準SDRAMでは、ロ ウサイクルタイム50nsとなります。従ってRLDRAMは、DRAMとSRAMとのギャップを解消し、ネットワーク交換や高速キャッシュに最適なソリューションを提供します。

RLDRAMアーキテクチャは、ロウサイクルタイムを最小にするために最適化されています。特に、レイテンシ（アクセスサイクル開始から最初のデータが利用可能になるまでの待ち時間）を 最小化することを目的としています。このアクセスタイムは、後続アクションが先行するメモリ参照結果に依存するアプリケーションでは、特に重要な意味を持っています。その典型例は、ネ ットワーキングで使われるスイッチやルータです。コントローラは、ルーティング情報の読み取りやデータパケットのアセンブルを高速で実行する必要があります。また、データキャッシュでは、反応時間の短縮が、メ モリサブシステム全体の応答時間に重要な意味を持ちます。RLDRAMは、これらのアプリケーションに対して、高価なSDRMに替わる強力なソリューションを提供します。

今回の新製品は、T-FBGA 144（シン・プロファイル・ボール・グリッド・アレイ）パッケージを採用しています。この結果、従 来のTSOPパッケージDRAM製品の場合のようなアドレス多重化を行う必要がありません。さらに、T-FBGAパッケージにより、高周波数動作時の寄生効果が低減されます。また、熱抵抗が低いので、放 熱性も改善されます。

標準SDRAMが3.3Vで動作するのに対し、RLDRAMの動作電圧は、メモリアレイ部が1.8～2.5V、I/O部が1.8Vです。動作電圧の低下により、配線板上で最高300MHz（ 600Mbps）のデータ転送が可能になります。この数値は、バス幅32ビットの製品では2.4Gバイト/秒、バス幅16ビットの製品では1.2Gバイト/秒の帯域幅に相当します。

インフィニオンテクノロジーズのエルンスト・シュトラッサ（メモリ事業部グラフィックス/特殊用途メモリ製品マーケティング部長）は、「RLDRAMは、チ ップ構造とデータプロトコルに革新的なアーキテクチャを採用した新製品です。ランダムアクセスするDRAMの、データ帯域幅の限界を打開します。ネットワーキング市場へ向けてインフィニオンは、今 回のRLDRAMに示されるように、チップ設計と製造分野での蓄積を製品開発に活かし、高性能メモリへの需要に応えていきます」と、語りました。

構成8M×32および16M×16の256MビットRLDRAMのサンプル出荷開始は2001年の第3四半期、量産開始は2002年の予定です。