インフィニオンが移動通信向けにSiGe超低雑音アンプ（LNA）を発表

インフィニオンテクノロジーズは本日、同社のSiGeバイポーラ･プロセス技術「B7HF」を適用した低雑音アンプ（LNA）「BGA622」の 供給を開始したことを発表しました。このLNAは、携帯電話（GSM、GPS、UMTSなど）や無線LANなど、現行および次世代の無線アプリケーションが要求する、高 い直線性と高い感度を満足するように設計されています。このSiGeモノリシック･マイクロ波IC（MMIC）は、高信頼で高性能な移動通信アプリケーションを実現するための、非常に低い雑音指数（NF）と 高い利得を提供します。

インフィニオンテクノロジーズのトーマス･ポラコウスキー（個別半導体ユニット担当副社長兼ゼネラルマネージャ）は、「高い直線性、低い雑音指数、低 い消費電力という高周波フロントエンドの要求に対応したBGA622は、現在および将来の、最高6 GHzまでの無線アプリケーションにとって理想的なソリューションです。この新しい高性能LNAは、イ ンフィニオンのプロセス技術とソリューション提供の実力を示すものです。顧客に対し、移動通信アプリケーションの量産製品を短期間で市場へ出すことを可能にします」と、語りました。

「BGA622」は、2.1 GHzにおいて、利得15 dBと、きわめて低い雑音指数1.1 dBを達成しています。この性能は、SiGeベースLNAの量産品として、業 界の新しいベンチマーク記録になります。「BGA622」は、最高遮断周波数75 GHzの高性能SiGeプロセス技術「B7HF」の利点を最大限に活用しています。「BGA622」は、入 出力マッチング回路を内蔵しています。回路中で使用するのに、外付け部品は必要ありません。消費電流は低く抑えられ、さらに、オン/オフ機能を内蔵しているので、ハ ンドセットの低消費電力化とスタンバイ時間の延長を可能にします。

「BGA622」は、プラグ＆プレイの利得ブロックとして、市販のいずれの第2世代（2G）ないし第3世代（3G）の携帯電話トランシーバ･チップとも組み合わせることができ、900 MHzから6 GHzの帯域で、利得および雑音指数を改善します。

「BGA622」は超小型のSOT-343パッケージで、サンプル供給中です。量産開始は2001年11月の予定です。