インフィニオンテクノロジーズが0.14μm技術で256MビットDRAM量産開始

独インフィニオンテクノロジーズは本日、DRAMの量産に先進的な0.14μmプロセスを導入し、その技術を用いた256MビットSDRAMの量産をすでに開始していることを発表しました。また、0 .14μm技術を用いた512 MビットDRAMについても、戦略パートナーへのサンプル出荷をスタートしています。

0.14μmプロセスは、インフィニオンのこれまでの最小構造幅0.17μmよりも18％微細化され、チップ製造単価は約30％低減されます。

新プロセスは9月からドレスデンにあるインフィニオンの200mmウエハ工場に導入されており、目下256Mビットチップの量産を急速に立ち上げているところです。インフィニオンの国際工場群（ファブ・ク ラスタ）に属する他の2カ所のDRAM工場（米国バージニア州リッチモンド工場と、台湾の新竹にある合弁会社プロモス・テクノロジーズ）でも0.14μmプロセスによる生産準備が最終段階を迎えています。

インフィニオンテクノロジーズのアンドレアス･フォン･チッチェビッツ（取締役兼COO）は、「0.14μmプロセスの導入は、インフィニオンのメモリ技術におけるリーダーシップを改めて裏付けるものです。当社製256MビットDRAMの最新シュリンク版は、256Mビットデバイスとして業界最小で、インフィニオンは生産コストの面で引き続き優位性を保持できます」と、語りました。& lt; /p>

0.14μmプロセスは、300mm生産ラインへの導入も進行中です。300mm生産によりインフィニオンの製造コストは、さらに30％近く低減します。ド レスデンの300mmウエハ生産モジュールはすでにその試験生産に入っており、来年早期に0.14μm量産を開始する予定です。合弁会社のプロモスでも、ドレスデンでの生産立ち上げの経験を生かして、そ れより1～2四半期後に生産を立ち上げる予定です。

インフィニオンのハラルド・エガース（メモリ製品グループ上級副社長兼ゼネラルマネージャ）は、「超高密度の0.14μmプロセスとインフィニオン独自のトレンチセル技術を組み合わせれば、設 計ルールとDRAM記憶容量が同じとして、競合テクノロジより10％近くチップサイズを小型化でき、生産コストの効率化に大きく寄与します。インフィニオンはどんな市場環境にあっても、コスト構造、特 に256MビットDRAMなどの量産品のコスト効率を向上させるため最大限の努力を継続します。今回の256MビットSDRAMは、ポートフォリオ全体にわたる技術シフトの皮切りにすぎません。ど のメモリ製品にも同じプロセスを採用することにより、スケールメリットのさらなる向上がはかれます」と、述べました。

インフィニオンの主要顧客は今夏前半から0.14μm版256MビットSDRAMのテストと品質評価を開始しています。すでに品質試験をパスした最初の顧客には、イ ンテル社といくつかの主要PCメーカがあります。インテル社は「Pentium 4」プロセッサをサポートする「Intel Desktop Board D845HV」向 けの品質認定メモリモジュール製品リストに、この新バージョンの256MビットSDRAMをベースとした非バッファ型モジュールを加えました。詳しくはインテル社のウェブサイトをご覧ください:
http://www.intel.com/design/motherbd/hv/hv_internalmem.htm

このリストに掲載された「512MバイトPC133 CL-2モジュール」によりインフィニオンは、CAS-Latency-2で求められる全試験をパスした256Mビットチップ搭載PC133 DIMMの最初のサプライヤとなりました。このリストに掲載されている他のモジュールはすべてCAS-Latency-3製品です。

0.14μm版256Mビットチップの生産立ち上げは順調に進んでいます。0.17μm製品から0.14μm製品へのシフトを円滑にするため、十分な移行期間とって、顧客が品質評価、購買、ロ ジスティックスなどの手順を調整できるよう配慮しています。