インフィニオンテクノロジーズが高電圧パワーMOSFET「CoolMOS」の第2世代を発表

インフィニオンテクノロジーズは、高電圧パワーMOSFET「CoolMOS」の第2世代を発表しました。「CoolMOS」の第1世代は、オ ン抵抗の大幅な低減を実現しました。第2世代の「CoolMOS-C2」では、オン抵抗の大幅な低減に加えて、スイッチング損失の大幅な低減が達成されました。

「CoolMOS-C2」は、「シリコンヒートシンク戦略（Silicon instead of Heat Sinks）」を推進するインフィニオンが打ち出した新段階の先端技術です。次 世代の電源装置は、電力密度の向上、小型化の達成、システム統合の高度化（以上を要約すると高密度実装）を目指しています。「CoolMOS-C2」は、こうした装置の開発を可能にします。

インフィニオンのエーリッヒ・ワルナー（自動車および産業部門のシニアバイスプレシデント兼ゼネラルマネージャ）は、「C2製品ファミリは、広範囲の潜在アプリケーションへの適用に道を開き、客 先が低コストのシステムソリューションを設計することを可能にするでしょう。この新しいCoolMOSファミリは、電流と電圧値の包括的なカバーにより、多 くの新しいアプリケーション分野に適用可能な技術を提供するとともに、寿来アプリケーションに対してもコスト効率のすぐれた代替を提供します」と、話しました。

「CoolMOS」は、インフィニオンテクノロジーズによって開発された、革新的なMOS（Metal Oxide Semicondutor）技術です。この技術は、従 来プロセスによる同面積のチップと比較して、オン抵抗を5分の1から10分の1に低減することを可能にします。ドリフト領域に縦方向のpストリップを組み込んだことにより、逆電圧が従来のように縦方向だけでなく、 横方向でも降下します。この3次元的に折り返した構造により、ドリフト領域の層を薄くし、同時にドーピング濃度を高めることが可能になります。これに加えて「CoolMOS-C2」では、ス イッチング時間を短縮するために、新しいゲート構造が採用されています。その特長は、ゲートフィンガとゲートリングが追加されたことです。

「CoolMOS-C2」の600V系列には、標準的な各種パッケージの製品が用意されています。また、800V系列もD-PAK、D2PAK、TO-220パッケージが製品化されています。