IRF7476 Überblick 12V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package Vorteile Ultra-low gate impedance Very low RDS(on) Fully characterized avalanche voltage and current Ihr Browser kann leider keine eingebetteten Frames anzeigen: Sie können die eingebettete Seite hieraufrufen. Parameter Dokumente Bestellung Boards Tools & Software Simulation Videos Partners Trainings Packaging Qualität Support Kontakt