Antriebe für den mittleren Spannungsbereich

Wir haben mit der bereits in den 90er-Jahren des vergangenen Jahrhunderts eingeführten IHV-Technologie neue Maßstäbe bei IGBT-Modulen für hohe Spannungen (High Voltage IGBT) gesetzt. Die vielfältigen Einsatzmöglichkeiten der IHV-Module für 3,3 kV beim Kunden und die daraus folgende Position als marktbeherrschende Lösung begründete sich durch die über Jahrzehnte in der Praxis nachgewiesene, außerordentliche Zuverlässigkeit dieser Komponenten – auch unter schwierigsten Umgebungsbedingungen –sowie durch ihre unerreichte Leistungsdichte. Für Anwendungen, die höhere Spannungen benötigen, bietet Infineon entsprechende 4,5-kV- und 6,5-kV-Module.

XHP™ ist die neue, flexible IGBT-Modulplattform für Anwendungen, die höhere Spannungen benötigen. Im Spannungsbereich zwischen 1,7 kV und 6,5 kV stellt die Plattform XHP™ eine hervorragende Lösung für anspruchsvolle Anwendungen wie Mittelspannungsantriebe dar.

XHP™-Module in Gehäusen mit den Abmessungen 140 mm x 100 mm x 40 mm (L x B x H) gestatten die Skalierung Ihrer Designs mit unerreichter Zuverlässigkeit und maximaler Leistungsdichte.

Durch Produkte mit nichtflüchtigem RAM wie beispielsweise F-RAM und nvSRAM-Speicher kann persistente Datenspeicherung mit der hohen Leistungsfähigkeit eines RAM-Speichers kombiniert werden. Diese RoHS-konformen Speicherbausteine punkten mit einer langen Lebensdauer, Datenhaltung über mehr als 10 Jahre bei 85 °C und sofortiger Persistenz der gespeicherten Daten ohne Pufferung durch eine externe Batterie. Dies erhöht die Zuverlässigkeit des betreffenden Systems und verringert die Kosten.

Der Name MoBL® steht für asynchrone SRAM-Speichermodule mit auf dem Chip integrierter Fehlerkorrektur. Sie eignen sich für Industriesysteme mit höchsten Anforderungen an Zuverlässigkeit und Leistung. Bei batteriegepufferten Systemen verlängern diese SRAMs die Batterielebensdauer durch einen beispiellos niedrigen Stromverbrauch im Standby-Betrieb: Für ein 8-MBit-SRAM-Modul beträgt dieser bei einer Temperatur von 85 °C lediglich 6,5 µA. Da die Soft-Error-Rate bei diesen äußerst energiesparenden SRAMs außerdem unter 0,1 FIT/MBit liegt, sind diese Module für eine Vielzahl verschiedenster Anwendungen geeignet.

The XENSIV™ current sensor family includes integrated current rail and sensors for external current rail sensors. The TISON-8 package (TLI4971, TLE4971, TLE4973) have an integrated current rail with up to 120 A peak ampacity. TDSO-8 and VSON-6 package (TLE4972 and TLE4973) suit applications with currents up to 2000 A on PCB or bus-bar.