Motortypen in elektrischen Antrieben für den Industrieeinsatz

Die Module der Produktfamilie EconoDUAL™ 3 sind jetzt mit der neuesten Generation der TRENCHSTOP™ IGBT7-Technologie ausgestattet, wodurch das Portfolio der 1200-V-Produkte hinsichtlich der Stromstärken von 600 A auf 900 A erweitert werden konnte. Die EconoDUAL™-Module für 900 A und 1200 V verfügen über ein optimiertes Gehäuse, das bei gleichem Platzbedarf auf der Platine für höhere Ströme und Temperaturen ausgelegt ist. Dank der TRENCHSTOP™ IGBT7-Technologie zeichnen sich diese Module durch deutlich geringere Verluste, ein besseres Regelungsverhalten, weichere Schaltvorgänge und eine hohe Kurzschlussfestigkeit aus. Da diese Module zudem bei Überlast mit Betriebstemperaturen von bis zu 175 °C funktionieren, lassen sich ein hoher Wirkungsgrad und eine große Leistungsdichte erzielen. Dies ermöglicht einen vereinfachten Aufbau der Systeme und sorgt somit für eine Verringerung der Kosten.

Die bekannten PrimePACK™-IGBT-Halbbrücken- und Brems-Chopper-Module mit integriertem Thermistor bieten ein speziell für die Integration in modernen Umrichtern optimiertes Konzept.

Zu den herausragenden Merkmalen gehören eine hohe Zuverlässigkeit und lange Lebensdauer, verbesserte thermische Eigenschaften, eine geringe Streuinduktivität, ein großer Betriebstemperaturbereich, ein integrierter Thermistor mit guter Isolierung und die TRENCHSTOP™-Technologie von Infineon für 1200 V und 1700 V.

NOR-Flash-Speicher – die ideale Lösung zur Speicherung von Code in eingebetteten Systemen, da sich dieser Speichertyp durch eine sehr hohe Lesegeschwindigkeit auszeichnet.  
Diese Module unterstützen auch XIP (eXecute In Place), eine Funktionalität, über die der Host-Controller den Code direkt aus dem NOR-Flash-Speicher ausführen kann und ihn nicht zuvor in ein RAM kopieren muss. Dank der hohen Leistungsfähigkeit des seriellen NOR-Speichers kann die XIP-Funktionalität für verschiedenste Designs und zahlreiche Anwendungen genutzt werden.

Durch Produkte mit nichtflüchtigem RAM wie beispielsweise F-RAM und nvSRAM-Speicher kann persistente Datenspeicherung mit der hohen Leistungsfähigkeit eines RAM-Speichers kombiniert werden. Diese RoHS-konformen Speicherbausteine punkten mit einer langen Lebensdauer, Datenhaltung über mehr als 10 Jahre bei 85 °C und sofortiger Persistenz der gespeicherten Daten ohne Pufferung durch eine externe Batterie. Dies erhöht die Zuverlässigkeit des betreffenden Systems und verringert die Kosten.

Der Name MoBL® steht für asynchrone SRAM-Speichermodule mit auf dem Chip integrierter Fehlerkorrektur. Sie eignen sich für Industriesysteme mit höchsten Anforderungen an Zuverlässigkeit und Leistung. Bei batteriegepufferten Systemen verlängern diese SRAMs die Batterielebensdauer durch einen beispiellos niedrigen Stromverbrauch im Standby-Betrieb: Für ein 8-MBit-SRAM-Modul beträgt dieser bei einer Temperatur von 85 °C lediglich 6,5 µA. Da die Soft-Error-Rate bei diesen äußerst energiesparenden SRAMs außerdem unter 0,1 FIT/MBit liegt, sind diese Module für eine Vielzahl verschiedenster Anwendungen geeignet.