Infineon und Chartered erweitern Entwicklungskooperation durch Fertigungsvereinbarung für 65-nm-Logik-Chips durch Chartered

München, 17. November 2005 - Heute haben die Infineon Technologies AG und Chartered Semiconductor Manufacturing eine Fertigungsvereinbarung für 65-nm-Logik-Produkte unterzeichnet. Infineon wird low-power-Produkte für Mobiltelefone bei Chartered fertigen lassen. Erste Prototypen sollen bereits im ersten Quartal 2006 vorliegen, der Start der Produktion ist für das vierte Quartal 2006 geplant.

 

Diese Ankündigung baut auf die gemeinsam von IBM, Infineon, Chartered und Samsung betriebene Technologieentwicklung für 65-nm-Logik-Chips auf. Der heute unterschriebene Vertrag mit Chartered erlaubt Infineon ohne eigene Investitionen in neue Fertigungskapazitäten am weiteren Fortschritt der Halbleiterindustrie an vorderster Front mitzuwirken. Maßnahmen zur Steigerung der Fertigungskompetenz von Infineon können so künftig flexibel der Marktentwicklung angepasst werden.

 

„Infineon hat sich dafür entschieden, die gemeinsam mit Chartered, IBM und Samsung entwickelte 65-nm-Technologie bei Chartered fertigen zu lassen, um weiter im weltweiten Wettbewerb seine führenden Positionen mit kundenindividuellen Produkten auszubauen und dabei profitabel zu wachsen“, sagte Dr. Wolfgang Ziebart, Vorstandsvorsitzender der Infineon Technologies AG. „Die traditionelle Aufstellung eines Halbleiter-Unternehmens, das von der Entwicklung über die Fertigung und den Vertrieb die gesamte Wertschöpfungskette für Logik-Chips abdeckt, ändert sich gerade, wodurch Optimierung des Kapitaleinsatzes und Geschäftsentwicklung immer wichtiger werden.“

 

„Chartered und Infineon verbindet bereits eine starke Entwicklungs- und Fertigungsallianz, und dies ist ein aufregender weiterer Schritt“, sagte Chia Song Hwee, Präsident und CEO von Chartered. „ Als Entwicklungsallianz erzielen Chartered, Infineon, IBM und Samsung bedeutende wirtschaftliche und technologische Vorteile durch den Zugriff auf gemeinsame Ressourcen und Erfahrungen. Mit diesem Schritt wird Infineon vom reibungslosen Übergang von der Entwicklung zur Fertigung mit einem seiner Entwicklungspartner und von der Fertigungsflexibilität von Chartered profitieren. Infineon kann sich weiter durch fokussierte Entwicklung von low-power und kundenorientierten Produkten vom Markt abheben, während Chartered eine zuverlässige und kosteneffektive Outsourcing-Lösung für Infineons Fertigungsbedürfnisse bietet.“

 

In den nächsten Monaten sollen Mitarbeiter von Infineon-Standorten in Europa und USA zu Chartered in Singapur wechseln, um die reibungslose Integration der Prozesstechnologie in das “Fab 7“ genannte 300-mm-Werk von Chartered zu gewährleisten. Derweil setzen über 200 Ingenieure der vier beteiligten Unternehmen in East Fishkill im US-Bundesstaat New York ihre Entwicklungsarbeiten an Technologien der nächsten Generation, unter anderem an der 45-nm-Technologie, fort.

 

Über Chartered

 

Chartered Semiconductor Manufacturing ist ein weltweit führendes Halbleiter-Foundry-Unternehmen, das Spitzentechnologien bis hinunter zu Strukturbreiten von 90 nm für heutige System-on-Chip-Designs bietet. Das Unternehmen entspricht darüber hinaus den Bedürfnissen von Kunden durch partnerschaftliche, gemeinsame Entwicklungsanstrengungen für eine Technologie-Roadmap, die sich auf Strukturbreiten von 45 nm erstreckt. Die Strategie von Chartered basiert auf offenen und umfassenden Lösungen zur Umsetzung von Designs, verbesserten Fertigungsmethoden und einer Verpflichtung zu flexibler Versorgung. Das Unternehmen betreibt in Singapur ein 300-mm- und vier 200-mm-Werke. Weitere Informationen zu Chartered:

www.charteredsemi.com

 

Kontakt Chartered: Tiffany Sparks, Tel. +1 408 941 1185, tiffanys@charteredsemi.com