Infineon und Nanya bauen Entwicklungskooperation aus

München und Taoyuan/Taiwan, 29. September 2005 – Infineon Technologies AG und Nanya Technology Corporation (NTC), Taoyuen/Taiwan, haben die Ausweitung ihrer gemeinsamen Entwicklungsaktivitäten für DRAMs vereinbart. Die beiden Unternehmen werden zusammen ab September 2005 moderne 60-nm-Fertigungstechnologien für 300-mm-Wafer entwickeln. Damit weiten Nanya und Infineon ihre bisherige Kooperation für die Entwicklung von 90-nm- und 70-nm-Fertigungstechnologien aus. Durch diese Zusammenarbeit können beide Unternehmen ihre Entwicklungskosten redu-zieren und ihre Positionen im DRAM-Markt festigen.

 

Die neue Fertigungstechnologie, die Nanya und Infineon gemeinsam im Infineon-Werk Dresden entwickeln werden, wird zukünftig von beiden Unternehmen und vom gemeinsamen Fertigungs-Joint Venture Inotera Memories genutzt. Eine weitere Zusammenarbeit bei der Entwicklung von 60-nm-Referenzprodukten ist bereits geplant. Mehr als 100 Mitarbeiter von Infineon und Nanya werden an diesem Projekt arbeiten. Voraussichtlich 2008 werden die ersten Speicherprodukte mit dem neuen 60-nm-Fertigungsverfahren auf Basis der 300-mm-Wafer produziert.

 

„Der Ausbau der erfolgreichen strategischen Partnerschaft mit Nanya zur Entwicklung der 60-nm-Technologie ermöglicht eine erhebliche Produktivitätssteigerung bei der Fertigung von DRAMs“, kommentierte Kin Wah Loh, Mitglied des Vorstandes und Leiter des Geschäftsbereichs Speicherprodukte bei Infineon. „Die Kooperation mit Nanya stellt die Effizienz der Kooperationsstrategie von Infineon eindrucksvoll unter Beweis und bietet uns erhebliche Wettbewerbsvorteile im extrem dynamischen DRAM-Marktsegment.“

 

„Durch die strategische Partnerschaft mit Infineon zur Entwicklung der 60-nm-Technologie kann Nanya seine Wettbewerbsfähigkeit beträchtlich steigern“, erklärt Dr. Jih Lien, President von Nanya Technologies. „Von der Zusammenarbeit profitieren beide Unternehmen, weil sie sich die Kosten und Ressourcen für die Entwicklung führender Technologien teilen können.“

 

Über die gemeinsame Entwicklungszusammenarbeit bei zukunftsweisenden Speichertechnologien auf Basis der Trench-Technologie hinaus sind Infineon und Nanya auch Partner beim Fertigungs-Joint Venture Inotera, das seinen Sitz in Taoyuan/Taiwan hat. Inotera ist auf die Produktion von DRAMs spezialisiert und hat sein Halbleiterwerk auf eine Produktionskapazität von über 60.000 Waferstarts pro Monat hochgefahren. Damit hat Inotera weltweit eine der größten Halbleiterfertigungen.

 

Über Nanya

 

Nanya Technology Corporation, ein Mitglied der Formosa Plastics Group, ist ein weltweit führender Speicherhersteller. Das Unternehmen forscht, entwickelt, fertigt und vertreibt DRAM-Produkte. Nanya verfügt über zwei 200-mm-Fertigungen mit einer Kapazität von 73.000 Wafer pro Monat in 110-nm-Technologie. Nanya entwickelt gemeinsam mit Infineon 90- und 70-nm-Technologie. Die beiden Unternehmen haben ein gemeinsames 300-mm-Fertigungs-Joint Venture (Inotera Memories Inc). Nanya zielt darauf ab, ein weltweit führendes DRAM-Unternehmen hinsichtlich Qualität, Kapazität und Verantwortlichkeit zu werden. Weitere Informationen unter www.nanya.com.